特許
J-GLOBAL ID：201303049369445119

酸化物半導体中の金属成分の回収方法

発明者：
廣井 久美

廣井 久美 について

, 
瓦井 久勝

瓦井 久勝 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-071118
公開番号（公開出願番号）：特開2013-204049
出願日： 2012年03月27日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
要約：
【課題】本発明は、酸やアルカリを使用することなくガラス基板上に形成された酸化物半導体中の金属成分を回収することが可能な酸化物半導体中の金属成分の回収方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明による酸化物半導体中の金属成分の回収方法は、(a)酸化物半導体が付着したガラス基板に対して還元処理を施し、酸化物半導体を還元する工程と、(b)還元された酸化物半導体をガラス基板から剥離する工程とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a)酸化物半導体が付着したガラス基板に対して還元処理を施し、前記酸化物半導体を還元する工程と、 (b)前記還元された酸化物半導体を前記ガラス基板から剥離する工程と、 を備える、酸化物半導体中の金属成分の回収方法。
IPC (2件)：
C22B 7/00 ,  B09B 5/00
FI (2件)：
C22B7/00 G ,  B09B5/00 Z
Fターム (21件)：
2H088FA23 ,  2H088HA01 ,  2H088HA02 ,  2H088MA16 ,  2H190JB02 ,  2H190JC20 ,  2H190LA01 ,  4D004AA22 ,  4D004BA05 ,  4D004CA10 ,  4D004CA13 ,  4D004CA15 ,  4D004CA37 ,  4D004CA44 ,  4D004CA50 ,  4K001AA15 ,  4K001AA24 ,  4K001BA22 ,  4K001CA01 ,  4K001CA02 ,  4K001CA05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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