横型接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 伊藤英彦 , 甲田一幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-039760
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246399
特許番号：特許第4810736号
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に位置し、第1導電型不純物を含む半導体層からなる第1導電型ゲート層と、前記第1導電型ゲート層の上に位置し、前記第1導電型ゲート層に含まれる第1導電型不純物の濃度よりも低濃度の第2導電型不純物を含む半導体層からなり、チャネル領域を含む第2導電型半導体層と、前記第2導電型半導体層の上において、平面的に見て前記チャネル領域を間に挟むように形成され、前記第2導電型半導体層の第2導電型不純物濃度よりも高い濃度の第2導電型不純物を含む半導体層からなる第2導電型ソース領域および第2導電型ドレイン領域とを備え、前記第1導電型ゲート層と前記第2導電型ソース領域との間隔が、前記第1導電型ゲート層と前記第2導電型ドレイン領域との間隔よりも短い、横型接合型電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/337 ( 200 6.01) , H01L 29/808 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 29/80 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭53-127275
インバータ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-020215 出願人：住友電気工業株式会社, 松波弘之, 木本恒暢
特開平3-064963

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