特許
J-GLOBAL ID：200903003243363505

横型接合型電界効果トランジスタ

発明者：
原田 真

原田 真 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-362386
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177111
出願日： 1999年12月21日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 高速性に優れた高電力・高耐圧の半導体スイッチング素子として製造の容易な横型接合型電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 SiC基板(1)に形成された溝のない表面を有するp型SiC膜(2)と、その上のn型SiC膜(3)と、n型SiC膜が薄くされたチャネル領域(11)と、n型SiC膜の上に形成されたソース領域(22)およびドレイン領域(23)と、ゲート電極(14)とを備えている。ゲート電極は、p型SiC膜の平坦な表面に形成された2つのゲート電極からなる。
請求項（抜粋）：
SiC基板と、前記基板の上に形成され、溝のない表面を有する第2導電型SiC膜と、前記第2導電型SiC膜の上に形成された第1導電型SiC膜と、前記第1導電型SiC膜においてその膜厚が薄くされて形成されているチャネル領域と、前記第1導電型SiC膜の上に形成された第1導電型SiCからなる膜であって、チャネル領域の両側にそれぞれ分かれて形成されているソース領域およびドレイン領域と、ゲート電極とを備え、前記ゲート電極は、前記第2導電型SiC膜の平坦な表面に形成された2つのゲート電極からなる、横型接合型電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/80 ,  H01L 29/06
FI (2件)：
H01L 29/06 ,  H01L 29/80 W
Fターム (12件)：
5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC02 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK02 ,  5F102GL02 ,  5F102GR03 ,  5F102GS03 ,  5F102HC17
引用特許：
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (4件)
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