特許

J-GLOBAL ID：201303050528015897

炭素含有膜のシリコン選択的ドライエッチング

発明者： サプレ, ケダル ,  タン, ジン ,  ワン, リンリン ,  マリック, アブヒジット バス ,  イングル, ニティン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-526817
公開番号（公開出願番号）：特表2013-503482
出願日： 2010年08月10日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：

シリコン炭素含有材料をエッチングする方法が説明される。この方法は、反応性酸素流と組み合わせたSiConi(登録商標)エッチングを含む。反応性酸素はSiConi(登録商標)エッチングの前に導入され、それによって表面近くの領域の炭素含有量が低減し、SiConi(登録商標)エッチングの進行速度が上昇しうる。別法として、反応性酸素をSiConi(登録商標)エッチング中に導入し、それによって実効エッチング速度をさらに改善することができる。

請求項（抜粋）：

基板処理チャンバの基板処理領域内で基板の表面のシリコン炭素含有層をエッチングする方法であって、 前記第1の遠隔プラズマ領域内でプラズマを形成することによりプラズマ放出物を生成しながら、前記基板処理領域に流体結合された第1の遠隔プラズマ領域の中にフッ素含有前駆体および水素含有前駆体を流すステップと、 前記基板の表面に固体副生成物を形成しながら前記プラズマ放出物および反応性酸素を前記基板処理領域の中に流し込むことによって、前記シリコン炭素含有層をエッチングするステップと、 固体副生成物の昇華温度を超えて前記基板の温度を上げることによって、前記固体副生成物を昇華させるステップと を含む方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/302 105A

Fターム (10件)：

5F004AA02 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DB03 ,  5F004EA28 ,  5F004FA01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 少なくとも1つの誘電体層を形成するための方法およびシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-271314   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• ライン製造のフロントエンドのためのインサイチュドライクリーンチャンバ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-054443   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 酸化物の選択的エッチング方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-524208   出願人：マイクロンテクノロジーインコーポレイテッド