少なくとも1つの誘電体層を形成するための方法およびシステム

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 池田成人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-271314
公開番号（公開出願番号）：特開2009-152550
出願日： 2008年10月21日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：

【課題】エッチングされた所望のアスペクト比の提供。【解決手段】構造を形成するための方法が、基板の表面にわたって少なくとも1つの特徴部を形成するステップを含む。少なくとも1つの特徴部の上には窒素含有誘電体層を形成する。少なくとも1つの特徴部の少なくとも1つの側壁上の窒素含有層の第1の部分を、第1の速度で取り除き、少なくとも1つの特徴部の底部領域に隣接する基板の上の窒素含有層の第2の部分を、第2の速度で取り除く。第1の速度は第2の速度よりも大きい。窒素含有誘電体層の上に誘電体層を形成する。【選択図】図2A

請求項（抜粋）：

構造を形成するための方法であって、基板の表面にわたって少なくとも1つの特徴部を形成するステップと、前記少なくとも1つの特徴部の上に窒素含有誘電体層を形成するステップと、前記少なくとも1つの特徴部の少なくとも1つの側壁上の前記窒素含有層の第1の部分を第1の速度で取り除き、前記少なくとも1つの特徴部の底部領域に隣接する前記基板の上の前記窒素含有層の第2の部分を第2の速度で取り除くステップであって、前記第1の速度が前記第2の速度よりも大きいステップと、前記窒素含有誘電体層の上に誘電体層を形成するステップと、を備える方法。

IPC (6件)：

H01L 21/306 , C23C 16/42 , C23C 16/505 , H01L 29/78 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (5件)：

H01L21/302 105B , C23C16/42 , C23C16/505 , H01L29/78 301N , H01L21/90 K

Fターム (79件)：

4K030AA01 , 4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030BA29 , 4K030BA35 , 4K030BA40 , 4K030BA41 , 4K030CA04 , 4K030CA11 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030EA05 , 4K030FA10 , 4K030KA18 , 4K030KA20 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F004AA11 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DB00 , 5F004DB07 , 5F004EA27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ15 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033SS02 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033XX19 , 5F140AA00 , 5F140AA15 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA06 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BG10 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BH15 , 5F140BK13 , 5F140CC01 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC09 , 5F140CC11 , 5F140CC12 , 5F140CC13 , 5F140CC14

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-239723
半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-271231 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-286640 出願人：三洋電機株式会社

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