特許

J-GLOBAL ID：201303051080176564

半導体デバイス

発明者： マイケル・ロバートソン ,  シン・チェン ,  ポール・キャナード
出願人/特許権者： ザ センター フォー インテグレーテッド フォトニクス リミテッド
代理人 (4件)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-552473
公開番号（公開出願番号）：特表2013-520003
出願日： 2011年02月11日
公開日（公表日）： 2013年05月30日
要約：

本発明によれば、デバイス、好ましくは偏光依存利得が小さい光増幅器が提供される。増幅器は、光利得を提供するための隣接する複数の半導体層を備えた利得媒体を備えており、これらの隣接する半導体層は、電子のための1つまたは複数の量子井戸を画定しており、利得媒体中における直接電子-正孔遷移および間接電子-正孔遷移の両方を提供するように動作する。伝導帯中の第1の量子化電子エネルギー準位および価電子帯中の第1の量子化正孔エネルギー準位は、第1の層中に位置している。価電子帯中の他の第1の量子化正孔エネルギー準位は、隣接する第2の層中に位置している。第1の層中の第1の量子化正孔エネルギー準位は、軽い正孔状態か、あるいは重い正孔状態のいずれかであり、第2の層中の他の第1の量子化正孔エネルギー準位は、第1の層中の第1の量子化正孔エネルギー準位とは異なる正孔状態である。第2の層は、In1-x-yAlxGayAs(x>0、y>0)を含んでいることが好ましい。

請求項（抜粋）：

入射光を受け取り、かつ、増幅された光を射出するための光増幅器であって、 A) 入射光を受け取り、かつ、増幅された光を射出するための光導波路と、 B) 光利得を提供するための隣接する複数の半導体層を備えた利得媒体と、 C) 前記利得媒体を通じて電流をポンプするための電極と を備え、前記隣接する複数の半導体層が、電子のための1つまたは複数の量子井戸を画定し、かつ、前記利得媒体中における直接電子-正孔遷移および間接電子-正孔遷移の両方を提供するように動作し、それにより、 i) 伝導帯中の第1の量子化電子エネルギー準位が第1の層中に位置し、 ii) 価電子帯中の第1の量子化正孔エネルギー準位が前記第1の層中に位置し、 iii) 前記価電子帯中の他の第1の量子化正孔エネルギー準位が隣接する第2の層中に位置し、また、前記第2の層が前記第1の層とは異なる材料組成を有し、 前記第1の層中の前記第1の量子化正孔エネルギー準位が、軽い正孔状態か、あるいは重い正孔状態のいずれかであり、また、前記第2の層中の他の第1の量子化正孔エネルギー準位が、前記第1の層中の前記第1の量子化正孔エネルギー準位とは異なる正孔状態である光増幅器。

IPC (1件)：

H01S 5/50

FI (1件)：

H01S5/50 610

Fターム (13件)：

5F173AA08 ,  5F173AA26 ,  5F173AA48 ,  5F173AB62 ,  5F173AB64 ,  5F173AB66 ,  5F173AF04 ,  5F173AF06 ,  5F173AF12 ,  5F173AH12 ,  5F173AP05 ,  5F173AR45 ,  5F173AS01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体光増幅器及びその製造方法並びに半導体光集積素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-069735   出願人：富士通株式会社