特許
J-GLOBAL ID：200903091341198144

半導体光増幅器及びその製造方法並びに半導体光集積素子

発明者：
田中 信介

田中 信介 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 真田 有 ,  山本 雅久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-069735
公開番号（公開出願番号）：特開2009-224691
出願日： 2008年03月18日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：
【課題】広い波長帯域にわたって、偏波無依存な光増幅特性を得られるようにするとともに、平坦な利得スペクトルが得られるようにする。【解決手段】InP基板上に形成され、複数の井戸層4Aと複数のバリア層4Bとを備え、井戸層4Aとバリア層4Bとを交互に積層した多重量子井戸活性層を備える半導体光増幅器であって、井戸層4A及びバリア層4Bがいずれも伸張歪を有し、バリア層4Bの伸張歪量が井戸層4Aの伸張歪量よりも大きくなっている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
InP基板上に形成され、複数の井戸層と複数のバリア層とを備え、前記井戸層と前記バリア層とを交互に積層した多重量子井戸活性層を備え、 前記井戸層及び前記バリア層が、いずれも伸張歪を有し、 前記バリア層の伸張歪量が、前記井戸層の伸張歪量よりも大きいことを特徴とする半導体光増幅器。
IPC (1件)：
H01S 5/50
FI (1件)：
H01S5/50 610
Fターム (8件)：
5F173AA05 ,  5F173AF05 ,  5F173AH14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP16 ,  5F173AP33 ,  5F173AP92 ,  5F173AR45
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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