特許
J-GLOBAL ID：201303051200645180

荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置

発明者：
西村 理恵子

西村 理恵子 について

, 
上久保 貴司

上久保 貴司 について


出願人/特許権者：
株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー について


代理人 (2件)： 大阿久 敦子 ,  山下 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-013662
公開番号（公開出願番号）：特開2013-077847
出願日： 2013年01月28日
公開日（公表日）： 2013年04月25日
要約：
【課題】ドリフトによる電子ビーム照射位置の変動を抑制して、所望のパターンを描画することのできる電子ビーム描画方法および電子ビーム描画装置を提供する。【解決手段】荷電粒子ビームの主偏向領域の中心付近における位置ずれ量を求める。次いで、複数の位置ずれ量から補正値を求める。そして、この補正値から荷電粒子ビームの照射位置を補正する。主偏向領域の中心付近は、主偏向領域の中心を含む副偏向領域とすることができる。この場合、位置ずれ量は、副偏向領域における任意の1点についてのものとすることもできるし、副偏向領域における任意の複数の点の位置ずれ量の平均とすることもできる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて前記荷電粒子ビームを偏向し、ステージ上の試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、 前記荷電粒子ビームの主偏向領域の中心付近における位置ずれ量を求める工程と、 複数の前記位置ずれ量から補正値を求める工程と、 前記補正値から前記荷電粒子ビームの照射位置を補正する工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
IPC (1件)：
H01L 21/027
FI (2件)：
H01L21/30 541D ,  H01L21/30 541Q
Fターム (11件)：
5F056AA04 ,  5F056AA20 ,  5F056BA10 ,  5F056CA02 ,  5F056CB14 ,  5F056CC02 ,  5F056CC03 ,  5F056CC04 ,  5F056CD02 ,  5F056CD03 ,  5F056CD04
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 電子ビーム補正方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-203731   出願人：株式会社アドバンテスト
  • 特開昭56-114778
  • 特開昭56-103420
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審査官引用 (5件)
  • 電子ビーム補正方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-203731   出願人：株式会社アドバンテスト
  • 特開昭56-114778
  • 特開昭56-103420
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