特許
J-GLOBAL ID：201303051272022498

トンネルトランジスタ、トランジスタを含む論理ゲート、論理ゲートを使用するスタティックランダムアクセスメモリ、およびトンネルトランジスタの製造方法

発明者：
マルク・ヘインス

マルク・ヘインス について

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セドリック・ハイゲベールト

セドリック・ハイゲベールト について

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アン・エス・フェルフルスト

アン・エス・フェルフルスト について

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ダニエレ・レオネッリ

ダニエレ・レオネッリ について

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リタ・ローヤッケルス

リタ・ローヤッケルス について

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ウィム・デハーネ

ウィム・デハーネ について


出願人/特許権者：
アイメック

アイメック について

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カトリーケ・ウニフェルジテイト・ルーベン・カー・イュー・ルーベン・アール・アンド・ディ

カトリーケ・ウニフェルジテイト・ルーベン・カー・イュー・ルーベン・アール・アンド・ディ について


代理人 (4件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫 ,  中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-186608
公開番号（公開出願番号）：特開2013-080906
出願日： 2012年08月27日
公開日（公表日）： 2013年05月02日
要約：
【課題】第1、第2ゲートを有するトンネルトランジスタで、第1、第2のゲート間の電圧の差がより小さい場合にしようできるトンネルトランジスタを提供する。【解決手段】ドレイン2、ソース4およびドレイン2とソース4との間で電流を制御するための少なくとも第1ゲート6とを含み、第1および第2のゲート誘電体材料7、11の第1側9、13が、それぞれ第1および第2の半導体部分14、15に実質的に沿って、実質的に接続して配置されたトンネルトランジスタ1。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ドレイン、ソース、および少なくとも第1ゲートとドレインとソースとの間で電流を制御するために第1ゲートから分離された第2ゲートとを含むトンネルトランジスタであって、 ドレインは、ドレイン電極と電気的に接続されたn型ドーパントでドープされた第1半導体部分を含み、 ソースは、ソース電極と電気的に接続されたp型ドーパントでドープされた第2半導体部分を含み、 第1ゲートは、第1ゲート誘電体材料の第1側、トンネルトランジスタの第1側の第1半導体部分、および第1ゲート誘電体材料に沿って第1ゲート誘電体材料の第1側に対向する第1ゲート電極に沿ってこれと接続する、第1半導体部分と隣り合う第1ゲート誘電体材料を含み、 ドレインおよびソースは、トンネルトランジスタのコンタクト領域に沿って互いに隣り合うように配置され、 コンタクト領域は、延長方向に沿って長手方向に延び、 第2ゲートは、第2ゲート誘電体材料の第1側、トンネルトランジスタの第2側の第2半導体部分、および第2ゲート誘電体材料に沿って第2ゲート誘電体材料の第1側に対向する第2ゲート電極に沿ってこれと接続する、第2半導体部分と隣り合う第2ゲート誘電体材料を含み、 第1および第2のゲートは、第1および第2のゲートの間にゲート誘起電位を形成する第1および第2のゲートの間の電位差により、ドレインとソースとの間で、実質的な導電状態と実質的な分離状態との間で電流を制御するように与えられ、 第1および第2のゲート電極は、第1および第2の半導体部分にそれぞれ実質的に沿うように配置され、 第1および第2のゲートは、第1および第2のゲートの間の電位差により誘起される電界が、電界の電界線が延長方向を横切るように、コンタクト領域を通って、互いに対しておよび第1および第2の半導体部分に対して電界が形成されることを特徴とするトンネルトランジスタ。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/66 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/10 ,  H03K 19/20
FI (5件)：
H01L29/78 301J ,  H01L29/66 T ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/10 371 ,  H03K19/20
Fターム (33件)：
5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BC01 ,  5F048BD01 ,  5F083BS14 ,  5F083BS26 ,  5F083BS49 ,  5F140AC13 ,  5F140AC32 ,  5F140AC33 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BF03 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5J042CA06 ,  5J042CA24
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • ゲートトンネル障壁を持つトンネル電界効果トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-057424   出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, カトリーケ・ウニフェルジテイト・ルーベン・カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメント
  • 特許第6972702号
  • 特開平4-199682
審査官引用 (5件)
  • ゲートトンネル障壁を持つトンネル電界効果トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-057424   出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, カトリーケ・ウニフェルジテイト・ルーベン・カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメント
  • 特許第6972702号
  • 特許第6972702号
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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