特許
J-GLOBAL ID：200903015261977535

ゲートトンネル障壁を持つトンネル電界効果トランジスタ

発明者：
ウィリアム・ヘー・ファンデンベルヘ

ウィリアム・ヘー・ファンデンベルヘ について

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アンネ・エス・フェルフルスト

アンネ・エス・フェルフルスト について


出願人/特許権者：
アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ

アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ について

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カトリーケ・ウニフェルジテイト・ルーベン・カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメント

カトリーケ・ウニフェルジテイト・ルーベン・カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメント について


代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-057424
公開番号（公開出願番号）：特開2008-252086
出願日： 2008年03月07日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】減少した総ゲート容量、改善したスイッチング速度、プロセス上の利点を有するトンネル電界効果トランジスタおよびこれを製造する方法を提供する。【解決手段】トンネル電界効果トランジスタ(TFET)は、ソース-チャネル-ドレイン構造と、ゲート電極とを備え、該ソース-チャネル-ドレイン構造は、少なくとも1つのドープしたソース領域と、少なくとも1つのドープしたドレイン領域と、少なくとも1つのソース領域と少なくとも1つのドレイン領域の間に位置しており、ソース領域とのソース-チャネル界面、およびドレイン領域とのドレイン-チャネル界面を形成する少なくとも1つのチャネル領域とを備え、該ゲート電極は、少なくとも1つのソース領域の少なくとも一部を覆い、少なくともソース-チャネル界面まで延びており、ゲート電極の端部とドレイン-チャネル界面の平面との間に有限な距離が存在して、ドレイン領域でのゲート電極による被覆が無いようにしている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
・ソース-チャネル-ドレイン構造と、 ・ゲート電極とを備えたトンネル電界効果トランジスタであって、 該ソース-チャネル-ドレイン構造は、少なくとも1つのドープしたソース領域と、少なくとも1つのドープしたドレイン領域と、少なくとも1つのソース領域と少なくとも1つのドレイン領域の間に位置しており、ソース領域とのソース-チャネル界面、およびドレイン領域とのドレイン-チャネル界面を形成する少なくとも1つのチャネル領域とを備え、 該ゲート電極は、少なくとも1つのソース領域の少なくとも一部を覆い、少なくともソース-チャネル界面まで延びており、ゲート電極の端部とドレイン-チャネル界面の平面との間に有限な距離が存在して、ドレイン領域でのゲート電極による被覆が無いようにした、トンネル電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/06
FI (4件)：
H01L29/78 622 ,  H01L29/78 626Z ,  H01L29/66 T ,  H01L29/06 601N
Fターム (32件)：
5F110AA02 ,  5F110AA09 ,  5F110AA16 ,  5F110BB13 ,  5F110BB20 ,  5F110CC10 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE28 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG34 ,  5F110HK01 ,  5F110HK05 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HM14
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • MOS型半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-001335   出願人：川崎製鉄株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-335132   出願人：松下電器産業株式会社
引用文献：
審査官引用 (2件)

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