特許

J-GLOBAL ID：201303051727744705

半導体装置およびその製造方法

発明者： 都甲 薫 ,  末益 崇
出願人/特許権者： 国立大学法人 筑波大学
代理人 (2件)： 片山 修平 ,  横山 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-288652
公開番号（公開出願番号）：特開2013-138128
出願日： 2011年12月28日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
要約：

【課題】非晶質な絶縁性基板上に粒径の大きなGe層を形成すること。【解決手段】本発明は、非晶質な絶縁層10と、前記絶縁層10上に、互いに離間して形成されSiおよびGeの少なくとも一方を主に含む結晶化した複数の種層12と、前記複数の種層12を覆うように形成された結晶化したGe層15と、を具備する半導体装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

非晶質な絶縁層と、 前記絶縁層上に、互いに離間して形成されSiおよびGeの少なくとも一方を主に含む結晶化した複数の種層と、 前記複数の種層を覆うように形成された結晶化したGe層と、 を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 31/04 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L21/20 ,  H01L31/04 X ,  H01L21/205

Fターム (31件)：

5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB05 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AF07 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F151AA02 ,  5F151CB02 ,  5F151CB15 ,  5F151GA03 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LN33 ,  5F152LN34 ,  5F152MM04 ,  5F152MM08 ,  5F152MM11 ,  5F152MM13 ,  5F152NN12 ,  5F152NN14 ,  5F152NN15 ,  5F152NN29 ,  5F152NP03 ,  5F152NP04 ,  5F152NP27 ,  5F152NP30 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ08