特許
J-GLOBAL ID：201303052335738991
気相成長装置
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
志賀 正武
, 鈴木 三義
, 伏見 俊介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-096619
公開番号（公開出願番号）：特開2013-225571
出願日： 2012年04月20日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：
【課題】サセプタの外周方向に設置した複数の基板間での半導体薄膜の成膜速度のばらつきを抑えることが可能な化学気相成長装置を提供する。【解決手段】チャンバーと、前記チャンバーの中央に設けられた中空回転機構と、前記中空回転機構の上端部に支持されて回転可能に設置された環状のサセプタと、前記サセプタの上面と相互に間隔をあけて対向して配置され、前記サセプタとともにプロセスガス流路を区画形成する対向板と、プロセスガスを前記プロセスガス流路の前記サセプタ中央側から外周側に向けて吹き出させるノズルと、を有し、前記半導体薄膜の成膜中に、前記中空回転機構により前記サセプタを前記ノズルと非同期に回転させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャンバー内に載置した複数の基板上に、化学気相成長により薄膜を成膜するための気相成長装置であって、
チャンバーと、
前記チャンバーの中央に設けられた中空回転機構と、
前記中空回転機構の上端部に支持されて回転可能に設置された環状のサセプタと、
前記サセプタの上面と相互に間隔をあけて対向して配置され、前記サセプタとともにプロセスガス流路を区画形成する対向板と、
前記中空回転機構の上方に配置されて、プロセスガスを前記プロセスガス流路の前記サセプタ中央側から外周側に向けて吹き出させるノズルと、を有し、
前記中空回転機構により前記サセプタを前記ノズルと非同期に回転させることを特徴とする気相成長装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045BB03
, 5F045DP15
, 5F045DP28
, 5F045EE20
, 5F045EF01
, 5F045EF04
, 5F045EF10
