半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-203749
公開番号（公開出願番号）：特開2013-058758
出願日： 2012年09月17日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。【解決手段】引き回し距離の長い配線にCuを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Cuを含む導電層を、TFTのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Cuの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させることができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上の窒化珪素を含む第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上のCuを含む第1の導電層と、前記第1の導電層上の第2の導電層と、前記第2の導電層上の窒化珪素を含む第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上の酸化珪素を含む第3の絶縁層と、前記第3の絶縁層上の酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上の第3の導電層と、前記酸化物半導体層上の第4の導電層と、前記酸化物半導体層上の酸化珪素を含む第4の絶縁層と、前記第4の絶縁層上の窒化珪素を含む第5の絶縁層と、前記第5の絶縁層上の第5の導電層と、前記第5の導電層上の前記Cuを含む第6の導電層と、前記第6の導電層上の窒化珪素を含む第6の絶縁層と、前記第6の絶縁層上の第7の導電層と、を有し、前記第5の導電層は、前記第3の導電層および前記第4の導電層のどちらか一方と電気的に接続しており、前記第7の導電層は、前記第3の導電層および前記第4の導電層の他方と電気的に接続しており、前記第1の導電層および前記第6の導電層は、前記酸化物半導体層と重ならず、前記第3の導電層および前記第4の導電層は、同じ材料を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 29/786 , G09F 9/30 , H01L 21/336 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/532 , G02F 1/134 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H05B 33/14

FI (15件)：

H01L29/78 618B , G09F9/30 338 , H01L29/78 612C , H01L29/78 617M , H01L29/78 617T , H01L29/78 617U , H01L29/78 619A , H01L21/88 M , H01L21/88 R , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G02F1/1345 , G09F9/30 330Z , H05B33/14 A , H05B33/14 Z

Fターム (183件)：

2H092GA29 , 2H092GA43 , 2H092GA51 , 2H092GA59 , 2H092GA60 , 2H092JA26 , 2H092JA36 , 2H092JA46 , 2H092JB24 , 2H092JB33 , 2H092JB38 , 2H092JB57 , 2H092JB66 , 2H092JB69 , 2H092JB79 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KB04 , 2H092KB24 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA06 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA11 , 2H092MA13 , 2H092MA14 , 2H092NA14 , 2H092NA21 , 2H092NA26 , 2H092NA28 , 2H092NA29 , 2H092PA06 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC14 , 3K107CC33 , 3K107CC35 , 3K107CC42 , 3K107CC45 , 5C094AA04 , 5C094AA05 , 5C094AA21 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094AA53 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094BA75 , 5C094DA13 , 5C094DA15 , 5C094DB04 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5F033GG01 , 5F033GG04 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH35 , 5F033HH38 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ38 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM11 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033PP19 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ73 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR07 , 5F033RR08 , 5F033RR13 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033SS08 , 5F033TT02 , 5F033UU03 , 5F033UU04 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX13 , 5F033XX16 , 5F033XX28 , 5F110AA03 , 5F110AA04 , 5F110AA09 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE37 , 5F110EE38 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110HM19 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN26 , 5F110NN34 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110QQ02 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-262991 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-047114 出願人：ソニー株式会社
電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-077183 出願人：出光興産株式会社

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