半導体装置及びその作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-262991
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123861
出願日： 2006年09月27日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にゲート電極、絶縁膜及び酸化物半導体膜を有し、前記酸化物半導体膜は、前記絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域において一部結晶化された領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 21/20 , G02F 1/136

FI (6件)：

H01L29/78 627G , H01L21/28 301B , H01L29/78 618B , H01L29/78 618Z , H01L21/20 , G02F1/1368

Fターム (138件)：

2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092KA04 , 2H092KA08 , 2H092KA10 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092MA30 , 2H092NA22 , 2H092NA26 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104GG09 , 4M104GG20 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF22 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110NN03 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19 , 5F152BB01 , 5F152BB02 , 5F152BB03 , 5F152BB04 , 5F152CC01 , 5F152CC02 , 5F152CC04 , 5F152CD02 , 5F152CD03 , 5F152CD12 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD17 , 5F152CE01 , 5F152CE12 , 5F152CE14 , 5F152CE15 , 5F152CE24 , 5F152CE32 , 5F152EE14 , 5F152FF02 , 5F152FF03 , 5F152FF04 , 5F152FF05 , 5F152FF06 , 5F152FF07 , 5F152FF08 , 5F152FF11 , 5F152FF14 , 5F152FF15 , 5F152FF17 , 5F152FF35 , 5F152FF39 , 5F152FF43 , 5F152FF44 , 5F152FF45 , 5F152FF47 , 5F152FG01 , 5F152FG03 , 5F152FG13

引用特許：

出願人引用 (1件)

トランジスタ及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-326889 出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (10件)

薄膜半導体装置製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-317431 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-282559 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-079273 出願人：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司

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引用文献：

審査官引用 (1件)

熱処理によるZnO薄膜中の結晶欠陥の変化

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