特許

J-GLOBAL ID：201303053740631130

検査装置

発明者： 関 寛和 ,  山本 高行
出願人/特許権者： レーザーテック株式会社
代理人 (1件)： 大山 健次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-086623
公開番号（公開出願番号）：特開2013-217703
出願日： 2012年04月05日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
要約：

【課題】表面モフォロジーとサイズが数10μm程度の大きな欠陥とを1回の検査で個別に同時並行して検出できる検査装置を実現する。【解決手段】本発明による検査装置は、微分干渉光学系(16)が搭載された検査装置をベースとする。試料表面が反射した2本のサブビームは微分干渉光学系により合成され合成ビームとなる。合成ビームは、偏光ビームスプリッタ(26)に入射し、偏光方向が互いに直交する2本の偏光ビームに変換され、各偏光ビームは第1及び第2の光検出手段(28,30)に入射する。第1及び第2の光検出手段からの出力信号は微分干渉信号であり、これらの出力信号を加算した加算信号は明視野輝度信号となる。従って、微分干渉信号に基づく欠陥検出と明視野輝度信号に基づく欠陥検出とが個別に同時並行して実行される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

エピタキシャル層が形成されている半導体基板を検査する検査装置であって、 直線偏光した照明ビームを発生する光源装置と、 検査すべき半導体基板を支持するステージと、 前記照明ビームと半導体基板とを相対移動させる走査装置と、 前記照明ビームを受光し、入射した照明ビームを第1及び第2のサブビームに変換すると共に、半導体基板の表面で反射した反射サブビーム同士を合成して合成ビームを出射させる微分干渉光学系と、 前記微分干渉光学系から出射した第1及び第2のサブビームをステージ上に配置された半導体基板に向けて投射する対物レンズと、 前記微分干渉光学系から出射した合成ビームを受光し、偏光方向が互いに直交する第1及び第2の光ビームを出射させる偏光ビームスプリッタと、 前記偏光ビームスプリッタから出射した第1の光ビームを受光する第1の光検出手段及び第2の光ビームを受光する第2の光検出手段と、 前記第1及び第2の光検出手段から出力された出力信号を受け取り、試料表面に存在する欠陥を検出する信号処理装置とを具え、 前記信号処理装置は、第1の光検出手段からの出力信号と第2の光検出手段からの出力信号とを加算する加算手段と、加算手段からの出力信号を用いて欠陥を検出する第1の欠陥検出手段と、前記第1又は第2の光検出手段からの出力信号のうちのいずれか一方の光検出手段からの出力信号を用いて欠陥を検出する第2の欠陥検出手段とを有することを特徴とする検査装置。

IPC (3件)：

G01N 21/956 ,  G02B 21/06 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01N21/956 A ,  G02B21/06 ,  H01L21/66 J

Fターム (44件)：

2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051AB07 ,  2G051BA04 ,  2G051BB07 ,  2G051BB11 ,  2G051BB20 ,  2G051BC06 ,  2G051CA03 ,  2G051CB01 ,  2G051CC13 ,  2G051DA07 ,  2G051EA08 ,  2G051EA16 ,  2H052AA05 ,  2H052AA07 ,  2H052AB01 ,  2H052AB14 ,  2H052AB24 ,  2H052AC04 ,  2H052AC06 ,  2H052AC07 ,  2H052AC08 ,  2H052AC15 ,  2H052AC16 ,  2H052AC26 ,  2H052AC27 ,  2H052AC33 ,  2H052AD31 ,  2H052AF02 ,  2H052AF04 ,  2H052AF14 ,  2H052AF25 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA04 ,  4M106CA38 ,  4M106DB02 ,  4M106DB07 ,  4M106DB11 ,  4M106DB14 ,  4M106DJ12 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 位相シフトマスクの欠陥検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-092391   出願人：レーザーテック株式会社
• 欠陥検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-199031   出願人：レーザーテック株式会社