電極被覆材料、電極構造体、及び、半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本孝久 , 吉井正明 , 森幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-227788
公開番号（公開出願番号）：特開2013-055339
出願日： 2012年10月15日
公開日（公表日）： 2013年03月21日
要約：

【課題】低いコンタクト抵抗、高い移動度を達成し得る半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極13、ゲート絶縁層14、有機半導体材料層から構成されたチャネル形成領域16、及び、金属から成るソース/ドレイン電極15を有する電界効果型トランジスタから成る半導体装置において、チャネル形成領域16を構成する有機半導体材料層と接するソース/ドレイン電極15の部分は、電極被覆材料21で被覆されており、電極被覆材料21は、金属イオンと結合し得る官能基、及び、金属から成るソース/ドレイン電極15と結合する官能基を有する有機分子から成る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

式(1)で示される有機分子から成り、式(1)中の官能基Yが、金属から成る電極の表面と結合することを特徴とする電極被覆材料。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 21/28 , C07D 213/70

FI (8件)：

H01L29/78 616V , H01L29/78 616U , H01L29/28 220D , H01L29/28 100A , H01L29/28 250G , H01L21/28 A , H01L21/28 301B , C07D213/70

Fターム (89件)：

4C055AA01 , 4C055BA02 , 4C055BA03 , 4C055BA25 , 4C055CA01 , 4C055DA47 , 4C055DB01 , 4C055DB02 , 4C055EA02 , 4C055GA02 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD22 , 4M104DD33 , 4M104DD34 , 4M104DD35 , 4M104DD36 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104GG09 , 4M104HH15 , 5F110AA03 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF22 , 5F110FF24 , 5F110FF25 , 5F110FF26 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK42 , 5F110NN02 , 5F110NN27 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-283913 出願人：ソニー株式会社
三端子素子の分子トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-172353 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
有機薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-078396 出願人：株式会社東芝

引用文献：

出願人引用 (2件)

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