有機薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：吉武賢次 , 中村行孝 , 紺野昭男 , 横田修孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-078396
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288836
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】しきい値電圧の増加やばらつき、ソース-ドレイン間電流値の低下やばらつきが少ない有機薄膜トランジスタ、および歩留まりの改良されたその有機薄膜トランジスタの製造方法の提供。【解決手段】有機半導体層と、前記有機半導体層内のチャネル領域上に形成されたゲート電極と、前記チャネル領域を挟むソース電極及びドレイン電極とを具備してなる有機薄膜トランジスタであって、前記ソース電極またはドレイン電極の表面領域と前記チャネル領域との間に硫黄原子を含有する電子供与性有機分子からなる薄膜層を有する、有機薄膜トランジスタ。前記有機薄膜トランジスタの電子供与性有機分子からなく薄膜層は、電子供与性有機分子をソース電極またはドレイン電極の表面に吸着させることにより製造する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電子供与性を有する結晶性有機半導体材料からなる有機半導体層と、前記有機半導体層内のチャネル領域上にゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極と、前記チャネル領域を挟むソース電極及びドレイン電極とを具備してなる有機薄膜トランジスタであって、前記ソース電極またはドレイン電極の表面領域と前記チャネル領域との間に硫黄原子を含有する電子供与性有機分子からなる薄膜層を有し、前記電子供与性有機分子がソース電極またはドレイン電極の表面領域に吸着されていることを特徴とする、有機薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L51/00

FI (4件)：

H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L29/78 616K , H01L29/28

Fターム (58件)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD22 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104FF13 , 4M104HH08 , 4M104HH15 , 5F110AA05 , 5F110CC03 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK42 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (2件)

電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-192841 出願人：大阪瓦斯株式会社
有機TFT装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-051247 出願人：コニカ株式会社

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