特許
J-GLOBAL ID：201303054082012592

光半導体素子

発明者：
佐藤 具就

佐藤 具就 について

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硴塚 孝明

硴塚 孝明 について

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長谷部 浩一

長谷部 浩一 について

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武田 浩司

武田 浩司 について

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松尾 慎治

松尾 慎治 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-093817
公開番号（公開出願番号）：特開2013-222844
出願日： 2012年04月17日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
要約：
【課題】半導体表面の面荒れによる光の損失を低減し、さらに、半導体表面でのキャリアの再結合を抑制することが可能な横方向デバイスとしての光半導体素子を提供すること。【解決手段】光半導体素子10は、半導体基板11と、半導体基板11の上に形成された光導波路層12であって、光導波路層12は、クラッド層121aと、クラッド層の上に形成された活性層123と、活性層123の上に形成されたクラッド層121bとを有する、光導波路層12と、半導体基板11の上に形成され、光導波路層12を挟むn型半導体層13およびp型半導体層14と、を備え、各クラッド層121a,121bは、半導体基板11および各半導体層13,14よりもバンドギャップエネルギーが大きい。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板の上に形成された光導波路層であって、前記光導波路層は、第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層の上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された第2のクラッド層とを有する、光導波路層と、 前記半導体基板の上に形成され、前記光導波路層を挟むn型半導体層およびp型半導体層と、を備え、 前記各クラッド層は、前記半導体基板および前記各半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きいことを特徴とする光半導体素子。
IPC (2件)：
H01S 5/042 ,  H01S 5/22
FI (2件)：
H01S5/042 610 ,  H01S5/22
Fターム (8件)：
5F173AA40 ,  5F173AF24 ,  5F173AF35 ,  5F173AH14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AR25 ,  5F173AR26
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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