特許
J-GLOBAL ID:201303054102438087
触媒系
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
恩田 博宣
, 恩田 誠
, 本田 淳
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-281722
公開番号(公開出願番号):特開2013-091651
出願日: 2012年12月25日
公開日(公表日): 2013年05月16日
要約:
【課題】配位子、および酸のレベルが比較的高いが、先行技術の欠点を、少なくともある程度は処理および緩和した触媒系を確立する。【解決手段】エテンと、一酸化炭素およびヒドロキシル基含有化合物とを、エテンのカルボニル化を触媒することが可能な触媒系の存在下で接触させる工程を含む、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する方法であって、該触媒系は、a)パラジウム金属またはその化合物、b)二座ホスフィン配位子、およびc)18°Cの水溶液中で測定して4未満のpKaを有する酸を組み合わせることにより得られ、該配位子は、該金属または該金属化合物中の金属に対して少なくとも2:1のmol過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも2:1のmol過剰で存在する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
エテンと、一酸化炭素およびヒドロキシル基含有化合物とを、エテンのカルボニル化を触媒することが可能な触媒系の存在下で接触させる工程を含む、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する方法であって、該触媒系は、
a)パラジウム金属またはその化合物、
b)二座ホスフィン配位子、および
c)18°Cの水溶液中で測定して4未満のpKaを有する酸
を組み合わせることにより得られ、該配位子は、該金属または該金属化合物中の金属に対して少なくとも2:1のmol過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも2:1のmol過剰で存在する、方法。
IPC (4件):
C07C 67/38
, B01J 31/24
, B01J 31/28
, C07C 69/24
FI (4件):
C07C67/38
, B01J31/24 Z
, B01J31/28 Z
, C07C69/24
Fターム (38件):
4G169AA06
, 4G169BA22A
, 4G169BA22B
, 4G169BA42A
, 4G169BB02A
, 4G169BB02B
, 4G169BC66B
, 4G169BC72A
, 4G169BC72B
, 4G169BD07A
, 4G169BD07B
, 4G169BE26A
, 4G169BE26B
, 4G169BE36A
, 4G169BE36B
, 4G169CB29
, 4G169CB74
, 4G169CB75
, 4G169DA02
, 4H006AA02
, 4H006AC21
, 4H006AC48
, 4H006BA25
, 4H006BA28
, 4H006BA48
, 4H006BA52
, 4H006BA66
, 4H006BA81
, 4H006BB41
, 4H006BC14
, 4H006BC32
, 4H006BC36
, 4H006BE40
, 4H006KA34
, 4H039CA66
, 4H039CF10
, 4H039CF30
, 4H039CL00
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
触媒系
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-281721
出願人:ルーサイトインターナショナルユーケーリミテッド
審査官引用 (1件)
-
触媒系
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-281721
出願人:ルーサイトインターナショナルユーケーリミテッド
引用文献:
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