特許
J-GLOBAL ID：201303054165768117
面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
片寄 恭三
, 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-058104
公開番号（公開出願番号）：特開2013-191784
出願日： 2012年03月15日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：
【課題】信頼性の高い長共振器の面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】長共振器の面発光型半導体レーザ10は、半絶縁性のi型のGaAs基板100と、半絶縁性のi型のAlGaAsから成る下部DBR102と、半絶縁性のi型のAlGaAs層110と、n型のGaInPからなるコンタクト層112と、活性領域114と、p型のAlAsからなる電流狭窄層120と、p型のAlGaAsからなる上部DBR106と、メサMの頂部に形成されたp側電極130と、メサMの底部で露出されたコンタクト層112に電気的に接続されたn側電極140とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に形成され、相対的に屈折率が高い高屈折率層と屈折率が低い低屈折率層の対を積層した第1の半導体多層膜反射鏡と、
第1の半導体多層膜反射鏡上に形成され、発振波長よりも光学的膜厚が大きい半絶縁性のi型のAlGaAs層と、
前記AlGaAs層上に形成され、不純物による深い準位を持たない、または深い準位はΓ準位よりも高い、前記基板に格子整合可能なn型の半導体層と、
前記半導体層上に形成された活性領域と、
前記活性領域上に形成され、相対的に屈折率が高い高屈折率層と屈折率が低い低屈折率層の対を積層したp型の第2の半導体多層膜反射鏡と、
前記半導体層と電気的に接続されるn側の第1の電極と、
前記第2の半導体多層膜反射鏡と電気的に接続されるp側の第2の電極と、
を有する面発光型半導体レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AC52
, 5F173AC61
, 5F173AH03
, 5F173AP05
, 5F173AR96
