特許
J-GLOBAL ID：200903079804921380
表面発光型半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
片寄 恭三
, 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-074511
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281942
出願日： 2003年03月18日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】低容量、低抵抗、高出力の要件を同時に満足することが可能な選択酸化型VCSELを提供する。【解決手段】表面発光型半導体レーザ100は、GaAs基板1と、基板1上に形成され、その一部に少なくともガリウム・インジウム・リンを含む半導体導電層3を含む下部半導体多層反射膜2と、下部半導体多層反射膜2上に形成される活性領域4、5と、活性領域4、5上に形成される上部半導体多層反射膜7と、下部および上部半導体多層反射膜2、7の間に形成され、周縁部に酸化領域6aを含む電流狭窄層6と、p側電極9と、n側電極10とを有し、n側電極10は、下部半導体多層反射膜2に含まれる半導体導電層3と電気的に接続される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に形成され、その一部に少なくともガリウム・インジウム・リンを含む半導体導電層を有する第1の半導体多層反射膜と、
前記第1の半導体多層反射膜上に形成される活性領域と、
前記活性領域上に形成される第2の半導体多層反射膜と、
前記第1の半導体多層反射膜と前記第2の半導体多層反射膜との間に形成され、周縁部に酸化領域を含む電流狭窄層と、
前記第1の半導体多層反射膜側に形成される第1の電極と、
前記第2の半導体多層反射膜側に形成される第2の電極とを有し、
前記第1の電極は、前記第1の半導体多層反射膜の前記半導体導電層と電気的に接続される、表面発光型半導体レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F073AA07
, 5F073AA11
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA04
, 5F073CB03
, 5F073DA05
, 5F073DA23
, 5F073DA25
, 5F073DA27
, 5F073EA14
, 5F073EA24
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (14件)
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