特許

J-GLOBAL ID：201303054876643376

n型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、および太陽電池素子

発明者： 岩室 光則 ,  吉田 誠人 ,  野尻 剛 ,  町井 洋一 ,  織田 明博 ,  足立 修一郎 ,  佐藤 鉄也
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (3件)： 膝舘 祥治 ,  小林 美貴 ,  醍醐 美知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-158171
公開番号（公開出願番号）：特開2013-026344
出願日： 2011年07月19日
公開日（公表日）： 2013年02月04日
要約：

【課題】比較的簡便な工程でドナー濃度の異なる領域を一度に形成することが可能な、n型拡散層の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板上に、パターニングされた平均厚み0.01μm以上2μm以下のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜を形成したシリコン基板上に、ドナー元素を含むガラス層を形成する工程と、ガラス層を形成した後に、熱拡散処理を施す工程と、前記熱拡散処理の後に、前記シリコン酸化膜および前記ガラス層を除去する工程と、を有するn型拡散層の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に、パターニングされた平均厚み0.01μm以上2μm以下のシリコン酸化膜を形成する工程と、 前記シリコン酸化膜をパターン状に形成したシリコン基板上に、ドナー元素を含むガラス層を形成する工程と、 前記ガラス層の形成時又は形成後に、熱拡散処理を施す工程と、 前記熱拡散処理の後に、前記シリコン酸化膜および前記ガラス層を除去する工程と、 を有するn型拡散層の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/22 ,  H01L 31/04 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/223

FI (4件)：

H01L21/22 S ,  H01L31/04 A ,  H01L21/225 R ,  H01L21/223 Y

Fターム (12件)：

5F151AA02 ,  5F151AA16 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151CB27 ,  5F151DA03 ,  5F151FA10 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリコン/ゲルマニウムによるナノ粒子インク、ドーピングされた粒子、印刷法、及び半導体用途のためのプロセス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-544910   出願人：ナノグラム・コーポレイション
• バイポーラ型トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-157807   出願人：シャープ株式会社
• 太陽電池セルおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-359676   出願人：シャープ株式会社