特許
J-GLOBAL ID：201303055166492006

光起電力装置の製造方法

発明者：
森川 浩昭

森川 浩昭 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-128875
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179370
出願日： 2013年06月19日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：
【課題】裏面側での反射光を活用するための構造を有する光起電力装置を得ること。【解決手段】半導体基板12の光の入射面側に第1の拡散層を形成し、第1の拡散層上に所定の形状の表面電極用ペーストを塗布し、半導体基板12の裏面上に所定の位置が開口したアルミニウムを含む第1の導電型元素含有ペーストと、開口部を覆うとともに開口部に接する周囲の第1の導電型元素含有ペーストと重なるように銀を含む裏面電極用ペーストを塗布し、ペーストを焼成し、半導体基板12の裏面の第1の導電型元素含有ペーストの塗布領域に第2の拡散層と、拡散しなかった第1の導電型元素含有ペーストが焼成された第1の導電型不純物層と、を形成するとともに、第1の拡散層上と半導体基板12の裏面上にそれぞれ表面電極と裏面銀電極を形成し、第1の導電型不純物層を除去し、半導体基板12の裏面上および裏面銀電極上に直接に反射層を形成する。【選択図】図4-1
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体基板の光の入射面側に第2の導電型の不純物を拡散させて、第1の拡散層を形成する第1の拡散層形成工程と、 前記第1の拡散層上に所定の形状の表面電極用ペーストを塗布し、前記半導体基板の光の入射面に対向する裏面上に所定の位置が開口した第1の導電型の元素であるアルミニウムを含む第1の導電型元素含有ペーストと、前記第1の導電型元素含有ペーストの開口部を覆うとともに前記開口部に接する周囲の前記第1の導電型元素含有ペーストと重なるように銀を含む裏面電極用ペーストを塗布するペースト塗布工程と、 前記ペーストを焼成し、前記半導体基板の裏面の前記第1の導電型元素含有ペーストの塗布領域に前記半導体基板よりも高い第1の導電型の不純物濃度を有する第2の拡散層と、拡散しなかった前記第1の導電型元素含有ペーストが焼成された第1の導電型不純物層と、を形成するとともに、前記第1の拡散層上と前記半導体基板の裏面上にそれぞれ表面電極と裏面銀電極を形成する焼成工程と、 希フッ酸に前記表面電極と前記裏面銀電極とを形成した前記半導体基板を浸漬して、前記表面電極と前記裏面銀電極の表面側に析出した溶融ガラス成分とともに、前記第1の導電型不純物層を除去する除去工程と、 前記表面電極と前記裏面銀電極上にタブ電極を形成するタブ電極形成工程と、 前記タブ電極を形成した前記半導体基板の裏面上および前記裏面銀電極上に直接に、光を反射する絶縁性の材料からなる反射層を形成する反射層形成工程と、 前記タブ電極を形成した前記半導体基板を密封するように透明樹脂で挟む樹脂密封工程と、 を含み、 前記ペースト塗布工程で使用される前記第1の導電型元素含有ペーストは、ガラス粉を含まないまたは希フッ酸で除去可能なガラス粉を含み、 前記反射層形成工程では、前記半導体基板と前記第1の拡散層を含む半導体層部における光電変換に寄与する波長領域の全てまたは一部を反射するアルミニウム粉末または酸化チタン粉末を配合した塗料を前記反射層として形成することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (2件)：
H01L31/04 A ,  H01L31/04 F
Fターム (24件)：
5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151BA11 ,  5F151CB12 ,  5F151CB13 ,  5F151CB20 ,  5F151DA03 ,  5F151EA09 ,  5F151EA11 ,  5F151EA15 ,  5F151EA17 ,  5F151EA19 ,  5F151FA06 ,  5F151FA10 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151FA25 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03 ,  5F151HA20 ,  5F151JA03 ,  5F151JA04 ,  5F151JA05
引用特許：
出願人引用 (3件)

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