特許
J-GLOBAL ID：201303055874624664

超電導体への最適化された着磁方法

発明者：
井 田 徹 哉

井 田 徹 哉 について

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和 泉 充

和 泉 充 について

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北 野 雅 裕

北 野 雅 裕 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東京海洋大学

国立大学法人東京海洋大学 について

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独立行政法人国立高等専門学校機構

独立行政法人国立高等専門学校機構 について

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北野精機株式会社

北野精機株式会社 について


代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  永井 浩之 ,  岡田 淳平 ,  勝沼 宏仁
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-250368
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066801
特許番号：特許第4793801号
出願日： 2004年08月30日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 超電導転移温度以下に冷却されたバルク超電導体近傍に着磁コイルを保持し、前記着磁コイルが発生するパルス磁場により前記バルク超電導体を着磁させる着磁方法において、 電源(9)間に直列に着磁コイル(5)とIGBT、MOSFET、SITを含むパルス波形制御用スイッチ(14)を接続し、前記パルス波形制御用スイッチ(14)に対してゲート電圧を与える高周波電源(15)を接続した回路を提供する段階と、 前記着磁コイル(5)近傍にバルク超電導体(8)を配置する段階と、 前記高周波電源(15)により前記パルス波形制御用スイッチ(14)にゲート電圧を与え、前記パルス波形制御用スイッチ(14)をオンオフすることにより前記バルク超電導体(8)に波形制御されたパルス磁場を印加する段階と、を有し、 前記パルス磁場の磁場波形は、前記パルス波形制御用スイッチ(14)の波形制御により、 前記パルス波形制御用スイッチ(14)を用いないで前記電源(9)により印加するパルス磁場に比し、時間に対する磁場強度の増加の比率が小さくなるように制御された増磁段階と、 前記バルク超電導体(8)に磁束線を侵入させることができる高磁場領域に前記侵入した磁束線がピン止めされるのに十分な時間保持された着磁段階と、 前記パルス波形制御用スイッチ(14)を用いないで前記電源(9)により印加するパルス磁場に比し、時間に対する磁場強度の減少の比率が小さくなるように制御された減磁段階と、 を有することを特徴とする超電導体への最適化された着磁方法。
IPC (2件)：
H01F 13/00 ( 200 6.01) ,  H01F 6/00 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01F 13/00 ZAA A ,  H01F 7/22 A
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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