特許
J-GLOBAL ID：201303056485246448
イオン感応性電荷蓄積回路および方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (12件)：
清水 初志
, 春名 雅夫
, 山口 裕孝
, 刑部 俊
, 井上 隆一
, 佐藤 利光
, 新見 浩一
, 小林 智彦
, 渡邉 伸一
, 大関 雅人
, 五十嵐 義弘
, 川本 和弥
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-518730
公開番号（公開出願番号）：特表2013-533482
出願日： 2011年06月30日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
要約：
イオン感応性回路は、流体のイオン濃度に応じて複数の電荷パケットを蓄積するための電荷蓄積デバイスと、蓄積された複数の電荷パケットに応じて出力信号(出力信号が溶液のイオン濃度を表す)を発生させるための少なくとも1つの制御および読み出しトランジスタとを備えることができる。電荷蓄積デバイスは、第1の電極半導体領域の上方にある第1の電荷制御電極と、ゲート半導体領域上且つイオン感応性パッシベーション表面下の電気的フローティングゲート構造と、第2の電極半導体領域の上方にある第2の電荷制御電極と、ドレイン拡散領域とを備えることができる。第1の制御電極は、第1の制御信号に呼応して、ゲート半導体領域への電荷の進入を制御することができる。イオン感応性パッシベーション表面は、流体を受け入れるように構成することができる。
請求項（抜粋）：
第1の電極に印加された第1の制御信号に呼応してゲート半導体領域への電荷の進入を制御するための、該第1の電極の半導体領域の上方にある第1の電荷制御電極と、
流体を受け入れるように構成された、ゲート半導体領域上且つイオン感応性パッシベーション表面下の電気的フローティングゲート構造と、
第2の電極に印加された第2の制御信号に呼応して該ゲート半導体領域外およびドレイン拡散領域内への複数の電荷パケットの転送を制御するための、該第2の電極の半導体領域の上方にある第2の電荷制御電極と、
該第2の電極の半導体領域を介して該ゲート半導体領域から該複数の電荷パケットを受け入れるための、ドレイン拡散領域と
を備える、該流体のイオン濃度に応じて該複数の電荷パケットを蓄積するための電荷蓄積デバイス、
出力電圧が溶液のイオン濃度を表す、該電荷蓄積デバイスの該ドレイン拡散領域に蓄積された該複数の電荷パケットに応じて該出力電圧を生成するための、少なくとも1つの制御および読み出しトランジスタ
を備える、イオン感応性回路。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
2G060AA06
, 2G060AA15
, 2G060AD06
, 2G060AE17
, 2G060DA12
, 2G060HC10
