特許
J-GLOBAL ID：201003035047813977
大規模FETアレイを用いた分析物測定のための方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
葛和 清司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-541416
公開番号（公開出願番号）：特表2010-513869
出願日： 2007年12月14日
公開日（公表日）： 2010年04月30日
要約：
分析物測定のための大規模FETに関する方法および装置。ChemFET(例えば、ISFET)アレイは、改良されたFETピクセル、ならびに測定感度および精度を向上させ、同時に顕著に小さいピクセルサイズおよび高密度アレイを容易にするアレイ設計に基づいた従来のCMOSプロセス技術により製造することができる。このようなアレイは、多様な化学的および/または生物学的プロセスにおいて、様々な種類の分析物の存在および/または濃度変化を検出するために用いることができる。1つの例において、chemFETアレイは、水素イオン濃度(pH)の変化、他の分析物濃度の変化および/またはDNA合成に関する化学的プロセスに関連した結合事象をモニターすることに基づいたDNAシークエンシング技術を促進する。
請求項（抜粋）：
装置であって、CMOSセンサ(105)のアレイ(100)を含み、各センサが、化学感応性電界効果トランジスタ(chemFET)(150)を含み、かつアレイ表面上の約10マイクロメーター×10マイクロメーター以下の面積を占める、前記装置。
IPC (3件)：
G01N 27/414
, G01N 37/00
, C12M 1/00
G01N27/30 301U
, G01N27/30 301P
, G01N27/30 301X
, G01N27/30 301Y
, G01N27/30 301W
, G01N37/00 102
, C12M1/00 A
4B024AA11
, 4B024AA20
, 4B024CA01
, 4B024HA11
, 4B029AA07
, 4B029FA15
