特許
J-GLOBAL ID:201303056978941153
プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
佐々木 聖孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-100660
公開番号(公開出願番号):特開2013-211574
出願日: 2013年05月10日
公開日(公表日): 2013年10月10日
要約:
【課題】プラズマ処理装置においてプラズマ密度の均一化を効率的に達成すること。【解決手段】このプラズマ処理装置においては、たとえば上部電極38の内部の主面側に、空洞104を有する誘電体90を設ける。そして、上部電極39の中心部における誘電体90の厚さをエッジ部における誘電体90の厚さより大きくし、誘電体90の空洞の中に流動性の誘電性物質NZを出し入れ可能に入れる。好ましくは、空洞104に誘電性流動体NZを出し入れするためのポートとして、たとえば複数本のパイプ106,108を電極38の裏面側から空洞104の異なる箇所(たとえば中心部とエッジ部)に接続してよい。【選択図】 図42
請求項(抜粋):
減圧可能な処理容器内に第1の電極を設け、前記処理容器内に高周波電界を形成するとともに処理ガスを流し込んで前記処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマの下で被処理基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記第1の電極の内部の主面側に空洞を有する誘電体を設けて、前記第1の電極の中心部側における前記誘電体の厚さをエッジ部側における前記誘電体の厚さより大きくし、前記誘電体の空洞の中に流動性の誘電性物質を出し入れ可能に入れるプラズマ処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/306
, C23C 16/505
, H05H 1/46
FI (3件):
H01L21/302 101B
, C23C16/505
, H05H1/46 M
Fターム (19件):
4K030CA04
, 4K030CA06
, 4K030CA12
, 4K030EA03
, 4K030FA01
, 4K030JA16
, 4K030KA09
, 4K030KA15
, 4K030KA28
, 4K030KA30
, 4K030LA15
, 4K030LA18
, 5F004AA01
, 5F004BA04
, 5F004BA06
, 5F004BA08
, 5F004BB11
, 5F004BB29
, 5F004CA08
引用特許:
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