特許
J-GLOBAL ID：201303057336722594
結晶シリコンインゴット及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
, 本田 淳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-079770
公開番号（公開出願番号）：特開2013-087051
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年05月13日
要約：
【課題】結晶シリコンインゴット及びその製造方法を提供する。【解決手段】結晶シリコンシード層を用いて、結晶シリコンインゴットが方向性凝固法によって形成される。結晶シリコンシード層は、複数の第1の単結晶シリコンシードと、複数の第2の単結晶シリコンシードとから形成されている。第1の単結晶シリコンシードの各々は(100)と異なる第1の結晶方向を有する。第2の単結晶シリコンシードの各々は第1の結晶方向と異なる第2の結晶方向を有する。第1の単結晶シリコンシードの各々は第2の単結晶シリコンシードのうちの1つ以上に隣接し、他の第1の単結晶シリコンシードから分離されている。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
結晶シリコンインゴットを製造する方法において、
結晶シリコンシード層を型に提供する工程であって、結晶シリコンシード層は、複数の第1の単結晶シリコンシードと、複数の第2の単結晶シリコンシードとを含み、各第1の単結晶シリコンシードは(100)と異なる第1の結晶方向を有し、第2の単結晶シリコンシードの各々は第1の結晶方向と異なる第2の結晶方向を有し、第1の結晶方向と第2の結晶方向との間の角度は35度以上であり、各第1の単結晶シリコンシードは1つ以上の第2の単結晶シリコンシードに隣接し、他の第1の単結晶シリコンシードから分離されている、前記工程と、
シリコン溶融物を前記型に充填する工程であって、シリコン溶融物は結晶シリコンシード層に接触する、前記工程と、
方向性凝固法を用いて前記型を冷却する工程であって、前記シリコン溶融物は凝固し、前記結晶シリコンシード層を含む結晶シリコンインゴットが形成される、前記工程と、を備える方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
4G077AA02
, 4G077AA08
, 4G077AB02
, 4G077BA04
, 4G077CD04
, 4G077CD08
, 4G077ED02
, 4G077EG11
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077MB08
, 4G077MB14
