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J-GLOBAL ID：201002201538207568   整理番号：10A0142403

太陽電池材料の結晶工学:結晶成長を中心に 太陽電池用多結晶シリコン中の亜粒界についての基礎研究

Fundamental Study of Sub-Grain Boundaries in Si Multicrystals for Solar Cells

著者 (4件)： 沓掛健太朗 (東北大 金属材料研) ,  宇佐美徳隆 (東北大 金属材料研) ,  藤原航三 (東北大 金属材料研) ,  中嶋一雄 (東北大 金属材料研)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 36  号： 4  ページ： 253-260  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 太陽電池用の多結晶シリコンの亜粒界について,著者らの最近の研究成果を交え,結晶学的構造評価,電気的特性,結晶成長過程での発生機構を中心に解説する。亜粒界は多結晶シリコン中の欠陥の中で最も太陽電池特性に悪影響を及ぼす欠陥である。結晶シリコンに用いられる主な結晶方位解析手段である走査型電子顕微鏡を用いた電子後方散乱像(SEM-EBSP法,透過型電子顕微鏡法/菊池線法,X線回折法の特徴を述べた。転位が集積して形成される亜粒界は,多結晶シリコン中に高い密度で存在する欠陥なので,その電気的特性の評価は重要な要素である。結晶粒形状および結晶方位を制御した複合種結晶を用いて多結晶組織を単純化,系統化したモデル結晶を成長させて亜粒界発生機構の解明を試みた。亜粒界と不純物との相互作用などまだ解明しなくてはならない課題も多い。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *ポリシリコン ,  *亜粒界 ,  *欠陥 ,  走査電子顕微鏡 ,  図形 ,  電子回折 ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線回折
準シソーラス用語： 走査型電子顕微鏡 ,  電子後方散乱パタ-ン

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

引用文献 (20件)：

• HIRTH, J. P. Theory of dislocations. 1968
• SCHWUTTKE, G. H. J. Electrochem. Soc. 1961, 108, 63
• SHIMOKAWA, R. Jpn. J. Appl. Phys. 1988, 27, 751
• GEMPERLE, A. Int. Sci. 2002, 10, 59
• 鈴木清一. まてりあ. 2001, 40, 7, 612

タイトルに関連する用語 (9件)： 太陽 ,  電池材料 ,  結晶工学 ,  結晶成長 ,  太陽電池 ,  多結晶シリコン ,  亜粒界 ,  基礎 ,  研究