半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶原辰也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-236319
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051452
特許番号：特許第4897159号
出願日： 2001年08月03日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】処理室においてBTBASガスとアンモニアガスとを供給し、基板上に窒化膜を形成する成膜工程と、この成膜工程によって前記処理室に堆積した膜を弗素を含むクリーニングガスによって除去するクリーニング工程と、このクリーニング工程後に前記処理室から前記基板を搬出した状態でBTBASガスと酸素ガスとを供給し、酸化膜を前記処理室に堆積させるコーティング工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：