特許

J-GLOBAL ID：201303058901518765

多機能層を有する基体の製造方法

発明者： 古谷 正裕 ,  常磐井 守泰 ,  田中 伸幸
出願人/特許権者： 財団法人電力中央研究所
代理人 (2件)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-100518
公開番号（公開出願番号）：特開2007-270319
特許番号：特許第4853955号
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 少なくとも表面層がハフニウム、ハフニウム合金、ハフニウム合金酸化物又は酸化ハフニウムからなる基体の表面を、 炭化水素、酸素を含む化学種が当該表面に供給される雰囲気下で加熱処理することにより、前記ハフニウム、ハフニウム合金、ハフニウム合金酸化物又は酸化ハフニウムの何れかで構成されている下層から連続して一体的に形成された柱状結晶である、炭素ドープ酸化ハフニウム層又は炭素ドープハフニウム合金酸化物層からなる多機能層を有する基体とすることを特徴とする多機能層を有する基体の製造方法。

IPC (2件)：

C23C 26/00 ( 200 6.01) ,  C01G 27/02 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C23C 26/00 C ,  C01G 27/02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 溶射用ジルコニア粉末
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-149007   出願人：東ソー株式会社
• 半導体装置用部材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-173934   出願人：トーカロ株式会社