特許
J-GLOBAL ID：200903059001809547
半導体装置用部材およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小川 順三
, 中村 盛夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-173934
公開番号（公開出願番号）：特開2004-018299
出願日： 2002年06月14日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】非金属製部材の表面積を拡大して、グロー放電処理によって発生する微細な粒子を堆積しやすくして、再飛散による被処理体表面の汚損を防止する。【解決手段】非金属製部材の表面に直に、酸化物系セラミックス質を溶射法によって皮膜を形成し、溶射皮膜特有の粗い表面を利用してグロー放電現象によって発生した微細な粒子を多量に堆積させるととともに、その再飛散を防止する。また、有彩色の酸化物系セラミックス質皮膜を形成させることによって、石英ヒータや石英ランプの加熱源に赤外線を多く含むようにしてその効率を向上させ、また、多孔金属板を用いた溶射法によって、皮膜表面積の拡大をはかり、半導体製品品質の向上を図る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
非金属製基材の表面に、直に、酸化物系セラミックス質溶射皮膜が形成されていることを特徴とする半導体装置用部材。
IPC (5件)：
C03C17/34
, C04B41/87
, C04B41/89
, C23C4/04
, C23C4/10
C03C17/34 Z
, C04B41/87 J
, C04B41/89 Z
, C23C4/04
, C23C4/10
4G059AA08
, 4G059AC20
, 4G059GA02
, 4G059GA04
, 4G059GA14
, 4K031AA04
, 4K031AA08
, 4K031AB03
, 4K031AB04
, 4K031AB07
, 4K031CB42
, 4K031CB43
, 4K031DA01
, 4K031DA04
