特許
J-GLOBAL ID:201303059768459200
高分子化合物の製造方法、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 五十嵐 光永
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-130706
公開番号(公開出願番号):特開2013-001715
出願日: 2011年06月10日
公開日(公表日): 2013年01月07日
要約:
【課題】リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物の製造方法、並びに当該高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】アニオン基を有する水溶性モノマーを重合して前駆体ポリマーを合成し、当該前駆体ポリマーを水で洗浄した後、当該前駆体ポリマーを有機カチオンと塩交換させることを特徴とする、露光により分解して酸を発生する構成単位を有する高分子化合物の製造方法。当該高分子化合物の製造方法により製造された高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
アニオン基を有する水溶性モノマーを重合して前駆体ポリマーを合成し、当該前駆体ポリマーを水で洗浄した後、当該前駆体ポリマーを有機カチオンと塩交換させることを特徴とする、露光により分解して酸を発生する構成単位を有する高分子化合物の製造方法。
IPC (5件):
C08F 8/00
, G03F 7/039
, C08F 20/36
, C08F 20/38
, H01L 21/027
FI (5件):
C08F8/00
, G03F7/039 601
, C08F20/36
, C08F20/38
, H01L21/30 502R
Fターム (54件):
2H125AF13P
, 2H125AF16P
, 2H125AF17P
, 2H125AF18P
, 2H125AF21P
, 2H125AF29P
, 2H125AF34P
, 2H125AH05
, 2H125AH15
, 2H125AH17
, 2H125AH19
, 2H125AH22
, 2H125AH23
, 2H125AH24
, 2H125AJ12X
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ52X
, 2H125AJ64X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ69X
, 2H125AN02P
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN42P
, 2H125AN54P
, 2H125AN63P
, 2H125BA02P
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CB16
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AM21Q
, 4J100BA15Q
, 4J100BA56R
, 4J100BB11R
, 4J100BC03P
, 4J100BC04P
, 4J100BC09P
, 4J100BC53P
, 4J100BC84Q
, 4J100CA03
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100DA61
, 4J100HA21
, 4J100HA55
, 4J100HA61
, 4J100HC04
, 4J100HC69
, 4J100JA38
引用特許:
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