特許
J-GLOBAL ID：201303059815652200

磁場計測装置、磁場計測装置製造方法

発明者：
鈴木 聖一

鈴木 聖一 について

, 
長部 太郎

長部 太郎 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (3件)： 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  渡辺 敏章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-142114
公開番号（公開出願番号）：特開2013-007720
出願日： 2011年06月27日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
要約：
【課題】磁場計測装置が備えるガスセルの内壁のうち照射光が通過する部分にアルカリ金属固体あるいは液体が過剰に付着し、照射光がガスセルを通過する妨げとなることを抑制する。【解決手段】本発明に係る磁場計測装置は、アルカリ金属ガスを発生させる物質を配置した第1空洞と、照射光が通過する第2空洞とを連通させる連通路を備え、連通路の開口サイズは、各空洞を隔てる隔壁の高さよりも小さい。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1および第2空洞と、 前記第1空洞と前記第2空洞の間に配置された隔壁と、 前記隔壁を貫通して前記第1空洞と前記第2空洞の間を連通させる連通路と、 を備え、 前記第1空洞内には、アルカリ金属ガスを発生させる物質が配置されており、 前記隔壁と前記第2空洞の境界部分における、前記隔壁の高さ方向の前記連通路の開口サイズは、前記隔壁の高さよりも小さく形成されている ことを特徴とする磁場計測装置。
IPC (1件)：
G01R 33/032
FI (1件)：
G01R33/032
Fターム (3件)：
2G017AA02 ,  2G017AD12 ,  2G017CD03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)
  • Femtotesla atomic magnetometry in a microfabricated vapor cell
審査官引用 (2件)
  • Femtotesla atomic magnetometry in a microfabricated vapor cell
  • Femtotesla atomic magnetometry in a microfabricated vapor cell

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