半導体プロセスにおけるアルコキシシラン加水分解反応用の触媒及びそれを含む配合物

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 出野知 , 関根宣夫 , 塩川和哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-006311
公開番号（公開出願番号）：特開2013-154345
出願日： 2013年01月17日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：

【課題】半導体堆積プロセス、例えば流動性酸化ケイ素プロセスで用いることができる安定な配合物を与える。【解決手段】アルコキシシラン、アリールしラン、又はアルコキシアルキルシランから選択されるケイ素含有前駆体、及びハロアルコキシアルキルシラン又はハロアリールオキシアルキルシランを含む触媒化合物を含有する配合物であって、ケイ素含有前駆体及び触媒化合物の置換基が同じ置換基である配合物が述べられる。より詳しくは、Si(OR1)nR24-nの式を有するアルコキシアルキルシラン又はアリールオキシシランを含むケイ素含有前駆体、及びXSi(OR1)nR23-nの式を有するハロアルコキシアルキルシランを含む触媒を含有する配合物;又はR23-p(R1O)pSi-R3-Si(OR1)pR23-pの式を有するアルコキシシラン又はアリールオキシシランを含むケイ素含有前駆体、及び(R1O)mR22-m(X)Si-R3-Si(OR4)2R5の式を有するハロアルコキシアルキルシラン又はハロアリールオキシアルキルシランを含む触媒を含有する配合物であって、R1及びR2置換基の全て又は少なくとも1つが、そのケイ素含有前駆体及び触媒化合物において同じである配合物が述べられる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

次の(1)及び(2)からなる群より選択される配合物: (1)以下の(a)及び(b)を含有する配合物A: (a)Si(OR1)nR24-nの式を有するアルコキシアルキルシランを含むケイ素含有前駆体、及び (b)XSi(OR1)nR23-nの式を有するハロアルコキシアルキルシランを含む触媒 (式中、R1は、C1〜C12の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、C3〜C12のアリール基、C3〜C12のシクロアルキル基、C2〜C12のアルケニル基、及びC2〜C12のアルキニル基からなる群より選択され;R2は、C1〜C12の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、C3〜C12のアリール基、C3〜C12のシクロアルキル基;C2〜C12のアルケニル基、C2〜C12のアルキニル基、及び水素原子からなる群より選択され;ここで、R1がメチルの場合、R2は水素ではなく;nは、1以上4以下の整数であり;かつXは、F、Cl、Br及びIからなる群より選択される); (2)次の(a)及び(b)を含有する配合物B: (a)R23-p(R1O)pSi-R3-Si(OR1)pR23-pの式を有する化合物を含むケイ素含有前駆体、及び (b)(R1O)mR22-m(X)Si-R3-Si(OR4)2R5の式を有するハロアルコキシアルキルシランを含む触媒 (式中、R1及びR4は、それぞれ独立して、C1〜C12の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、C3〜C12のアリール基、C3〜C12のシクロアルキル基、C2〜C12のアルケニル基、及びC2〜C12のアルキニル基から選択され;R2は、C1〜C12の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、C3〜C12のアリール基、C3〜C12のシクロアルキル基、C2〜C12のアルケニル基、C2〜C12のアルキニル基、及び水素原子から選択され;ここで、R1及びR2は、同じでもよく又は異なっていてもよく;R3は、C1〜C10のアルカンジイル基、C2〜C10のアルケンジイル基、C2〜C10のアルキンジイル基、C3〜C10の環式アルカンジイル、C5〜C10の環式アルケンジイル基、C6〜C10の二環式アルカンジイル基、C6〜C10の環式アルケンジイル基、C6〜C10のアレーンジイル基から選択され;かつR5は、直鎖又は分岐鎖のC1〜C12のアルキル基、C4〜C12のアリール基、C3〜C12のシクロアルキル基、C2〜C12のアルケニル基、C2〜C12のアルキニル基、及び直鎖又は分岐鎖のC1〜C12のアルコキシ基から選択され;Xは、F、Cl、Br及びIから選択され;mは、1以上2以下の整数であり;かつpは、1以上3以下の整数である)。

IPC (3件)：

B01J 31/02 , C01B 33/12 , H01L 21/316

FI (5件)：

B01J31/02 101M , C01B33/12 Z , H01L21/316 C , H01L21/316 P , H01L21/316 G

Fターム (43件)：

4G072AA25 , 4G072BB09 , 4G072GG02 , 4G072HH30 , 4G072KK17 , 4G072RR05 , 4G072UU01 , 4G169AA02 , 4G169BA21A , 4G169BA21B , 4G169BA37 , 4G169BA38 , 4G169BB08A , 4G169BB08B , 4G169BD11A , 4G169BD12A , 4G169BD12B , 4G169BD13A , 4G169BD13B , 4G169BD14A , 4G169BD15A , 4G169BE01A , 4G169BE01B , 4G169BE02A , 4G169BE06A , 4G169BE06B , 4G169BE32A , 4G169BE32B , 4G169BE33A , 4G169BE33B , 4G169BE36A , 4G169BE37A , 4G169BE45A , 4G169BE45B , 4G169BE46A , 4G169BE46B , 4G169CB81 , 4G169FC08 , 5F058BC02 , 5F058BC05 , 5F058BF46 , 5F058BF47 , 5F058BH01

引用特許：

出願人引用 (2件)

ケイ素系粉末物質の新規な製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-078864 出願人：信越化学工業株式会社
撥水性多孔質シリカ、その製造方法および用途
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-126376 出願人：三井化学株式会社

審査官引用 (2件)

ケイ素系粉末物質の新規な製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-078864 出願人：信越化学工業株式会社
撥水性多孔質シリカ、その製造方法および用途
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-126376 出願人：三井化学株式会社

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