特許

J-GLOBAL ID：201303062114147609

透明導電積層体付基板及びその製造方法

発明者： 中村 崇 ,  大塚 誠 ,  ボイジン アラベナ レアンドロ アンドレス
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 特許業務法人セントクレスト国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2011051325
公開番号（公開出願番号）：WO2011-093274
出願日： 2011年01月25日
公開日（公表日）： 2011年08月04日
要約：

基板の表面上に酸化インジウムを含有する透明導電積層体が形成された透明導電積層体付基板であって、前記透明導電積層体は、酸化インジウム含有量が80〜98質量%である第一の透明導電膜と前記第一の透明導電膜の表面上に積層された酸化インジウムの含有量が45〜75質量%である第二の透明導電膜とを備え、且つ、前記第一の透明導電膜及び前記第二の透明導電膜が酸化インジウム結晶と同等の結晶構造を持つ結晶を有していることを特徴とする透明導電積層体付基板。

請求項（抜粋）：

基板の表面上に酸化インジウムを含有する透明導電積層体が形成された透明導電積層体付基板であって、 前記透明導電積層体は、酸化インジウム含有量が80〜98質量%である第一の透明導電膜と前記第一の透明導電膜の表面上に積層された酸化インジウムの含有量が45〜75質量%である第二の透明導電膜とを備え、且つ、前記第一の透明導電膜及び前記第二の透明導電膜が酸化インジウム結晶と同等の結晶構造を持つ結晶を有している透明導電積層体付基板。

IPC (8件)：

H01B 5/14 ,  H01B 13/00 ,  C01G 19/00 ,  C01G 49/00 ,  C01G 23/04 ,  C01G 30/00 ,  B32B 7/02 ,  B32B 9/00

FI (8件)：

H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B ,  C01G19/00 A ,  C01G49/00 A ,  C01G23/04 C ,  C01G30/00 ,  B32B7/02 104 ,  B32B9/00 A

Fターム (63件)：

4F100AA17A ,  4F100AA17B ,  4F100AA19C ,  4F100AA21C ,  4F100AA23C ,  4F100AA25C ,  4F100AA27C ,  4F100AA28C ,  4F100AA29C ,  4F100AA33C ,  4F100AB02C ,  4F100AB10C ,  4F100AB11C ,  4F100AB12C ,  4F100AB15C ,  4F100AB17C ,  4F100AB18C ,  4F100AB19C ,  4F100AB20C ,  4F100AB21C ,  4F100AB24C ,  4F100AG00 ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100BA13 ,  4F100GB41 ,  4F100JA11B ,  4F100JA11C ,  4F100JG01B ,  4F100JG01C ,  4F100JG04 ,  4F100JN01 ,  4F100JN01B ,  4F100JN01C ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4G002AA06 ,  4G002AB01 ,  4G002AD04 ,  4G002AE05 ,  4G047CA05 ,  4G047CB04 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AC04 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G323BA02 ,  5G323BB01 ,  5G323BB02 ,  5G323BB03 ,  5G323BB04 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03