特許
J-GLOBAL ID：201303062135165275

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
小山 潤

小山 潤 について

, 
津吹 将志

津吹 将志 について

, 
野田 耕生

野田 耕生 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-120648
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243367
出願日： 2013年06月07日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：
【課題】論理回路の誤作動を防止すること又は消費電力を低減する。【解決手段】論理回路は、チャネル形成領域が酸化物半導体によって構成された薄膜トランジスタ11〜14と、該薄膜トランジスタ11〜14がオフすることによって、一方の端子の電位が浮遊状態となる容量素子15とを有する。当該酸化物半導体は、水素濃度が5×1019(atoms/cm3)以下であり、電界が発生していない状態においては、実質的に絶縁体として機能する。そのため、薄膜トランジスタ11〜14のオフ電流を低減することができる。これにより、容量素子15に蓄積された電荷の薄膜トランジスタ11〜14を介したリークを抑制することができる。その結果、論理回路の誤動作を防止することができる。また、薄膜トランジスタ11〜14のオフ電流を低減することにより、論理回路内に流れる無駄な電流を低減することができ、消費電力を低減することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の端子と第2の端子とを有する第1のトランジスタを有し、 前記第1のトランジスタをオフすることによって、前記第1の端子または前記第2の端子の一方が電気的に接続されたノードの電位は、浮遊状態となり、 前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、キャリア密度が1×1012(/cm3)未満である酸化物半導体を有し、 前記酸化物半導体は実質的に真性な半導体であることを特徴とする論理回路。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/50
FI (3件)：
H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 618B ,  H05B33/14 A
Fターム (99件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107EE03 ,  3K107HH05 ,  5F110AA09 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE24 ,  5F110EE27 ,  5F110EE30 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL27 ,  5F110HM03 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN26 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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