非晶質酸化物を利用した半導体デバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：山下穣平 , 志村博 , 永井道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-325370
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165532
出願日： 2005年11月09日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】透明酸化物膜を用いた半導体デバイスや回路を提供する。【解決手段】P型領域と、N型領域とを備え、電子キャリア濃度が1018/cm3未満である非晶質酸化物、又は電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物をN型領域に用いている。電子キャリア濃度が1018/cm3未満である非晶質酸化物又は電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物からなる第1領域と、第1領域に対してヘテロ接合を形成する第2領域と、を具備する。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

半導体デバイスであって、 P型領域と、N型領域とを備え、電子キャリア濃度が1018/cm3未満である非晶質酸化物を該N型領域に用いていることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (13件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/80 , H01L 29/786 , H01L 29/812 , H01L 21/338 , H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 29/861 , H01L 27/11 , H01L 21/824 , H01L 27/10 , H01L 29/24

FI (10件)：

H01L27/04 P , H01L29/80 V , H01L29/78 618B , H01L29/80 B , H01L29/48 D , H01L29/48 M , H01L29/91 F , H01L27/10 381 , H01L27/10 431 , H01L29/24

Fターム (60件)：

4M104AA10 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104CC03 , 4M104GG03 , 5F038AR07 , 5F038EZ02 , 5F038EZ06 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F083BS02 , 5F083BS14 , 5F083BS27 , 5F083BS29 , 5F083CR17 , 5F083HA02 , 5F083PR33 , 5F102FB01 , 5F102GB01 , 5F102GB04 , 5F102GC01 , 5F102GC07 , 5F102GC08 , 5F102GC09 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GJ01 , 5F102GT01 , 5F110AA05 , 5F110AA09 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110BB07 , 5F110BB08 , 5F110BB10 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK11 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-096983 出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (2件)

半導体積層薄膜、電子デバイスおよびダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-030000 出願人：ティーディーケイ株式会社, 川副博司
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-266012 出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道

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