特許

J-GLOBAL ID：201303063682972548

有機薄膜光電変換素子及びその製造方法

発明者： 平出 雅哉 ,  安達 千波矢 ,  中田 安一
出願人/特許権者： 技術研究組合BEANS研究所 ,  国立大学法人九州大学 ,  パナソニック株式会社 ,  リンテック株式会社
代理人 (2件)： 大谷 保 ,  片岡 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-177777
公開番号（公開出願番号）：特開2013-041983
出願日： 2011年08月15日
公開日（公表日）： 2013年02月28日
要約：

【課題】有機薄膜光電変換素子内の励起子の失活を抑制し、発電変換効率の高い有機薄膜光電変換素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】透明基板、電極(陽極)、陽極側励起子ブロッキング層、p型有機半導体層、n型有機半導体層及び電極(陰極)を積層してなる有機薄膜光電変換素子であって、前記陽極側励起子ブロッキング層の配向秩序パラメータ(S)が、-0.5≦S≦-0.1であることを特徴とする有機薄膜光電変換素子、及び前記電極(陽極)と前記p型有機半導体層を形成する工程間に、前記陽極側励起子ブロッキング層を形成する工程を有する有機薄膜光電変換素子の製造方法である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

透明基板、電極(陽極)、陽極側励起子ブロッキング層、p型有機半導体層、n型有機半導体層及び電極(陰極)を積層してなる有機薄膜光電変換素子であって、 前記陽極側励起子ブロッキング層の下記式(1)で表される配向秩序パラメータ(S)が、-0.5≦S≦-0.1であることを特徴とする有機薄膜光電変換素子。

IPC (1件)：

H01L 51/42

FI (1件)：

H01L31/04 D

Fターム (6件)：

5F151AA11 ,  5F151CB14 ,  5F151DA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03