炭素薄膜成膜方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西澤利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-187700
公開番号（公開出願番号）：特開2013-049885
出願日： 2011年08月30日
公開日（公表日）： 2013年03月14日
要約：

【課題】水素フリーで緻密で硬質なダイヤモンドライクカーボン膜を容易に形成することができる炭素薄膜成膜法を提供する。【解決手段】この炭素被膜成膜方法は、マグネトロンスパッタ法により試料基板電極上に配置された試料基板表面に炭素被膜を堆積させる炭素被膜成膜装置を用い、炭素ターゲット基板電極と試料電極に対し、下記1〜4の条件でそれぞれ電圧を印加させることを特徴とする。 1.ターゲット基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が40%以下であること。 2.ターゲット基板電極に印加するパルス電圧のパルス時間が20μs〜200μsであること。 3.試料基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が50%以下であること。 4.試料基板電極に印加する負パルス電圧の大きさが-20V〜-200Vであること。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

真空容器内にターゲット基板電極と試料基板電極が所定の間隔をおいて離間配置され、真空容器内に所定の気体を導入し、ターゲット基板電極に電圧を印加することによりターゲット基板電極上に配置した炭素ターゲット基板近傍にプラズマを発生させ、プラズマスパッタ法により試料基板電極上に配置された試料基板表面に炭素被膜を堆積させる炭素被膜成膜装置を用い、炭素ターゲット基板電極と試料電極に対し、下記の条件でそれぞれ電圧を印加させることを特徴とする炭素被膜成膜方法。 1.ターゲット基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が40%以下であること。 2.ターゲット基板電極に印加するパルス電圧のパルス時間が20μs〜200μsであること。 3.試料基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が50%以下であること。 4.試料基板電極に印加する負パルス電圧の大きさが-20V〜-200Vであること。

IPC (4件)：

C23C 14/06 , C23C 14/34 , H01L 21/203 , H01L 21/314

FI (4件)：

C23C14/06 F , C23C14/34 R , H01L21/203 S , H01L21/314 A

Fターム (20件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA34 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029CA13 , 4K029DC02 , 4K029DC34 , 4K029DC39 , 4K029EA00 , 5F058BA12 , 5F058BC14 , 5F058BD18 , 5F058BF12 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD30 , 5F103GG02 , 5F103HH03 , 5F103NN03

前のページに戻る