特許

J-GLOBAL ID：201303063941509690

半導体素子

発明者： ジョアンナ・クリスチーナ・スキバ-スツィマンスカ ,  アンドリュウ・ジェームズ・シールズ
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (16件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  白根 俊郎 ,  峰 隆司 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  赤穂 隆雄 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-080393
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175755
出願日： 2013年04月08日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：

【課題】半導体素子において量子ドットを位置決めする方法を提供する。【解決手段】量子ドット211及び複数の層を具備する半導体素子であって、複数の層は、第1の層203と、ストレッサー層205と、パターン層207と、を具備し、ストレッサー層は第1の層の上に覆い被さり、パターン層はストレッサー層の上に覆い被さり、ストレッサー層は、第1の層及びパターン層とは実質的に異なる格子定数を有していて、ピット213を有し、量子ドットはピットと並べられたパターン層上にある。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

量子構造及び複数の層を具備する半導体素子であって、前記複数の層は、第1の層と、ストレッサー層と、及び、パターン層と、を具備し、前記ストレッサー層は前記第1の層の上に覆い被さり、前記パターン層は前記ストレッサー層の上に覆い被さり、前記ストレッサー層は前記第1の層とは実質的に異なる格子定数を有して、前記素子は、少なくとも前記パターン層に提供されるピットをさらに具備し、前記量子構造は前記ピットで提供される半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 29/06 ,  H01S 5/343 ,  H01L 31/10 ,  H01L 29/66

FI (4件)：

H01L29/06 601D ,  H01S5/343 ,  H01L31/10 A ,  H01L29/66 U

Fターム (18件)：

5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA08 ,  5F049PA14 ,  5F049QA16 ,  5F049QA18 ,  5F049SS04 ,  5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AF09 ,  5F173AG20 ,  5F173AH03 ,  5F173AP10 ,  5F173AP14 ,  5F173AP23 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AR93

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 量子効果半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-173653   出願人：富士通株式会社