特許
J-GLOBAL ID：200903022345441300
量子効果半導体装置とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-173653
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027612
出願日： 1995年07月10日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【目的】 1次元、2次元または3次元のキャリア閉じ込めを行う量子効果半導体装置とその製造方法に関し、所望の位置にダメージの少ない領域ドットを作成することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 一定の面方位を有する基板表面上に開口を有するマスクを形成する工程と、前記マスクの開口を通して基板表面をエッチングし、深さと共に頂部に向かって収束する側面を有する凹みを形成するエッチング工程と、前記凹み内に混晶半導体の成長を行う工程であって、前記頂部上と頂部を囲む前記側面上とでキャリアのバンド構造が異なる連続した混晶半導体層の成長を行う量子効果層成長工程とを含む。
請求項（抜粋）：
一定の面方位を有する基板表面上に開口を有するマスクを形成する工程と、前記マスクの開口を通して基板表面をエッチングし、深さと共に頂部に向かって収束する側面を有する凹みを形成するエッチング工程と、前記凹み内に混晶半導体の成長を行う工程であって、前記頂部上と頂部を囲む前記側面上とでキャリアのバンド構造が異なる連続した混晶半導体層の成長を行う量子効果層成長工程とを含む量子効果半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/06
, H01L 21/306 Q
