縮小された平均自由行程長を有する半導体材料の直胴部

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所 , 原謙三 , 木島隆一 , 金子一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-531497
特許番号：特許第4725877号
出願日： 2001年09月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数の異なる伝導型のドープがされており、互いに異なる第1の伝導型(n;p)と第2の伝導型(p;n)との間での、少なくとも一つの接合(10)を有する半導体材料の直胴部(1)であって、少なくとも第1の伝導型(n;p)について、第1の伝導型(n;p)の半導体材料の自由荷電キャリアの第1の平均自由行程長(λ0)を有し、少なくとも第1の伝導型(n;p)について、第1の平均自由行程長(λ0)よりも縮小されている半導体材料の自由荷電キャリアの第2の平均自由行程長(λr)を有する少なくとも一つの領域(2)を含み、第2の平均自由行程長(λr)の上記領域(2)が、上記接合(10)の延びている表面(100)に垂直な方向(x)に並んでいる第1の区域(21)を有し、第1の区域(21)の間には、第2の平均自由行程長(λr)に対してより大きな、半導体材料の自由荷電キャリアの第3の平均自由行程長の区分(23)を複数有しており、第3の平均自由行程長を有する上記区分(23)は、隣同士で第1の距離(d)を有しており、上記区分(23)は、第1の区域(21)によって分離されて、第1の距離(d)を決めるようになっており、第1の距離(d)は、半導体材料の上記接合(10)に対して電気ブロッキング電圧を印加することによって生成される電場の強度(E)の絶対値(|E|)に対して、電場の強度の絶対値の小さな位置においては第1の距離(d)が小さくなるように依存し、電場の強度の絶対値の大きな位置においては第1の距離(d)が大きくなるように依存している、半導体材料の直胴部。

IPC (4件)：

H01L 29/06 ( 200 6.01) , H01L 21/322 ( 200 6.01) , H01L 29/861 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/06 301 Z , H01L 29/06 301 D , H01L 21/322 Z , H01L 29/91 D , H01L 29/78 616 S

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭64-009658
特開昭62-235782
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-142253 出願人：マイテルセミコンダクターリミテッド

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