特許
J-GLOBAL ID：201303064484272804
半導体装置の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-241310
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118170
特許番号：特許第5031956号
出願日： 2001年08月08日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板にCVDシリコン酸化膜で形成される第1絶縁膜、無機SOGのHSQで形成されるSOG低誘電膜、CVDシリコン酸化膜で形成される第2誘電膜及びシリコン酸化窒化膜を順次に積層する段階と、
フォトレジストビアパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストビアパターンをエッチングマスクとして前記シリコン酸化窒化膜及び前記第2絶縁膜の一部を湿式エッチングする段階と、
前記フォトレジストビアパターンをエッチングマスクとして異方性エッチングして、前記基板の上面を露出させるビアホールを形成する段階と、
前記フォトレジストビアパターンを除去する段階と、
前記フォトレジストビアパターンを除去した前記基板に対して高周波エッチングを実施して、前記シリコン酸化窒化膜が覆った状態で、前記ビアホールの側壁の前記シリコン酸化窒化膜が覆った前記第2誘電膜を含む逆傾斜の部分を除去する段階と、
逆傾斜を除去した前記ビアホールに金属プラグを形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/532 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
H01L 21/90 A
, H01L 21/90 M
, H01L 21/28 L
, H01L 21/316 G
, H01L 21/316 M
