特許

J-GLOBAL ID：201303064494889885

エレクトロクロミック薄膜の形成方法及びエレクトロクロミック素子の製造方法

発明者： 阿部 良夫 ,  川村 みどり ,  鈴木 敬弘
出願人/特許権者： 国立大学法人北見工業大学
代理人 (1件)： 吉田 芳春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-084319
公開番号（公開出願番号）：特開2013-213944
出願日： 2012年04月02日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
要約：

【課題】中性に近い水溶液電解質又は酸性水溶液電解質を用いることが可能なオキシ水酸化ニッケル薄膜を作製できるエレクトロクロミック薄膜の形成方法及びエレクトロクロミック素子の製造方法を提供する。【解決手段】エレクトロクロミック薄膜の形成方法は、水蒸気を用いた反応性スパッタリングによりオキシ水酸化ニッケル薄膜を形成し、形成したオキシ水酸化ニッケル薄膜を大気中にて200〜300°Cの温度で熱処理する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

水蒸気を用いた反応性スパッタリングによりオキシ水酸化ニッケル薄膜を形成し、該形成したオキシ水酸化ニッケル薄膜を大気中にて200〜300°Cの温度で熱処理することを特徴とするエレクトロクロミック薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

G02F 1/15 ,  G02F 1/153

FI (3件)：

G02F1/15 505 ,  G02F1/15 508 ,  G02F1/153

Fターム (12件)：

2K101AA22 ,  2K101DA01 ,  2K101DB03 ,  2K101DB33 ,  2K101DC04 ,  2K101DC53 ,  2K101DC54 ,  2K101DD02 ,  2K101EB21 ,  2K101EE02 ,  2K101EH02 ,  2K101EJ23