特許
J-GLOBAL ID：201303065664816922
炭化珪素半導体装置の製造方法及びその検査方法、並びに、炭化珪素半導体ウェハの製造方法及びその検査方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
志賀 正武
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 荒 則彦
, 三國 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-263673
公開番号（公開出願番号）：特開2013-118212
出願日： 2011年12月01日
公開日（公表日）： 2013年06月13日
要約：
【課題】従来より簡易に短時間で、より高分解能でかつチップに個片化する前のウェハの状態で、炭化珪素半導体装置の欠陥の有無を検査してその良否を判断することができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素基板1のおもて面に炭化珪素膜2と、ショットキー電極11として透明導電膜とを順に有する炭化珪素半導体装置100の製造方法であって、炭化珪素基板の裏面に備える裏面電極10と透明導電膜との間に逆バイアス電圧を印加することによって発生する発光を透明導電膜を介して検出することによって、炭化珪素半導体装置が有する欠陥の有無を検査する検査工程を含む、ことを特徴とする。【選択図】図20
請求項（抜粋）：
炭化珪素基板のおもて面に炭化珪素膜と、ショットキー電極として透明導電膜とを順に有する炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記炭化珪素基板の裏面に備える裏面電極と前記透明導電膜との間に逆バイアス電圧を印加することによって発生する発光を前記透明導電膜を介して検出することによって、前記炭化珪素半導体装置が有する欠陥の有無を検査する検査工程を含む、ことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, H01L 21/329
, H01L 29/47
, H01L 29/872
H01L21/66 N
, H01L29/48 P
, H01L29/48 D
4M104AA03
, 4M104BB05
, 4M104BB36
, 4M104CC03
, 4M104GG03
, 4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106AA10
, 4M106AD08
, 4M106BA01
, 4M106BA14
, 4M106CA18
, 4M106CB19
, 4M106DH12
