特許
J-GLOBAL ID：200903002873107659

炭化珪素単結晶ウェハの結晶欠陥検査方法および結晶欠陥検査装置

発明者：
土田 秀一

土田 秀一 について

, 
鎌田 功穂

鎌田 功穂 について

, 
リュタウラス ストラスタ

リュタウラス ストラスタ について


出願人/特許権者：
財団法人電力中央研究所

財団法人電力中央研究所 について


代理人 (4件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  鈴木 亨 ,  八本 佳子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-148564
公開番号（公開出願番号）：特開2007-318029
出願日： 2006年05月29日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】エレクトロルミネッセンス法により半導体素子製造用の炭化珪素単結晶ウェハのエピタキシャル膜に存在する転位や積層欠陥の面内分布を検査する際に、転位や積層欠陥の位置を高感度かつ高精度で、さらに高速で検出可能な結晶欠陥検査方法および装置を提供する。【解決手段】エピタキシャル膜の上に、検出すべきEL光を透過する透明電極を配置し、透明電極に電圧を印加して、ウェハ面内の一括測定領域におけるアレイに対応した各位置からのEL光の2次元情報をウェハ表面側から2次元CCDアレイによって一括取得する。ウェハ面内の各一括測定領域を走査することにより、ウェハ面内における検査対象領域全体のEL光に関するマッピングデータを得、該データに基づいてウェハ面内における結晶欠陥の位置を特定する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素単結晶基板の上にエピタキシャル膜が形成された半導体素子製造用の炭化珪素単結晶ウェハにおける結晶欠陥の位置を検出するための炭化珪素単結晶ウェハの結晶欠陥検査方法であって、 前記ウェハのエピタキシャル膜の上に、検出すべきエレクトロルミネッセンス光を透過する透明電極を配置し、 前記透明電極と、接地されたウェハ裏面との間に電圧を印加して、ウェハ面内の測定位置からエレクトロルミネッセンス光を発光させ、 光検出器によって、前記測定位置からウェハ表面側へ、前記透明電極を透過して発光するエレクトロルミネッセンス光を検出し、 当該エレクトロルミネッセンス光を検出する操作を、前記ウェハと、前記測定位置からのエレクトロルミネッセンス光を光検出器に導く検出用光学系の少なくとも一部とを相対移動させて測定位置を順次移動させることによりウェハ面内の各測定位置について行い、 これにより得られた、ウェハ面内における検査対象領域全体のエレクトロルミネッセンス光に関するマッピングデータに基づいて、ウェハ面内における結晶欠陥の位置を特定することを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハの結晶欠陥検査方法。
IPC (1件)：
H01L 21/66
FI (2件)：
H01L21/66 N ,  H01L21/66 P
Fターム (8件)：
4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA14 ,  4M106CA18 ,  4M106CA50 ,  4M106CB19 ,  4M106DA15 ,  4M106DH12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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