特許
J-GLOBAL ID：201303066282744146
センサおよびセンサの製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, 久野 琢也
, 高橋 佳大
, 星 公弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-010529
公開番号（公開出願番号）：特開2013-151057
出願日： 2013年01月23日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：
【課題】基板と、電気的な特性の値が温度に依存して変化する、マイクロ構造化された少なくとも1つのセンサ素子と、空洞の上方における少なくとも1つのダイアフラムとを有するセンサ、殊に空間分解能検出のためのセンサを提供する。【解決手段】少なくとも1つのセンサ素子35が少なくとも1つのダイアフラム36.1の下面に配置されており、またセンサ素子35は、ダイアフラム36.1の内部または上部または下部に延在している線路48を介して接触している。殊に複数のセンサ素子をダイオードピクセルとして単結晶のエピタキシャル層内に形成することができる。ダイアフラム36.1内に、個々のセンサ素子35を弾性的且つ絶縁的に収容する懸架ばねを形成することができる。【選択図】図1f
請求項（抜粋）：
電気的な特性の値が温度に依存して変化する、ダイオードピクセルとしてマイクロ構造化された少なくとも1つのセンサ素子(52)を有するセンサ(120)を製造する方法において、
a)基板(1)の上面または前記基板(1)の上に形成されている層上に格子状の構造部(14)を形成するステップと、
b)前記格子状の構造部(14)の下方における第1の領域(12)の電気化学的なエッチングにより多孔性の材料または自由空間を形成するステップと、
c)エピタキシャル層(24)を前記基板(1)上または該基板(1)を覆う層上に被着させ、前記エピタキシャル層(24)を前記格子状の構造部(14)の面全体にわたり形成し、前記第1の領域(12)が前記格子状の構造部(14)の下方において空洞(26,74,94)を形成するステップと、
d)前記少なくとも1つのセンサ素子(52)を前記エピタキシャル層(24)の内部または上部に形成するステップと、
e)前記エピタキシャル層(24)の構造化の前または途中または後に、前記エピタキシャル層列(24)に少なくとも1つの誘電層(36)を被着させるステップと、
f)1つまたは複数の導電性の層(48)に形成された線路(60,62)を介して前記センサ素子(52)を接触させるステップと、
g)前記少なくとも1つの誘電層(36)および前記エピタキシャル層(24)を通る各空洞(26,74,94)までのエッチング路(66)を露出させ、前記線路(60,62)が前記誘電層(36)の残存する領域上に延在するよう前記少なくとも1つの誘電層(36)を構造化するステップと、
h)前記エピタキシャル層(24)の犠牲層をエッチングし、前記少なくとも1つのセンサ素子(52)の周囲に前記少なくとも1つの誘電層(36)をダイアフラムとして露出させるステップとを有することを特徴とする、センサを製造する方法。
IPC (3件)：
B81C 1/00
, H01L 29/84
, G01K 7/01
B81C1/00
, H01L29/84 D
, G01K7/00 391S
, H01L29/84 C
3C081AA01
, 3C081BA22
, 3C081BA44
, 3C081BA45
, 3C081BA48
, 3C081CA03
, 3C081CA14
, 3C081CA15
, 3C081CA26
, 3C081CA40
, 3C081EA03
, 3C081EA04
, 3C081EA05
, 4M112AA01
, 4M112AA10
, 4M112BA02
, 4M112BA04
, 4M112CA01
, 4M112CA03
, 4M112CA11
, 4M112CA12
, 4M112CA13
, 4M112CA14
, 4M112DA03
, 4M112DA04
, 4M112DA07
, 4M112DA11
, 4M112DA12
, 4M112DA14
, 4M112DA15
, 4M112EA03
, 4M112EA06
, 4M112EA07
, 4M112EA11
, 4M112EA18
, 4M112FA01
, 4M112FA07
