特許
J-GLOBAL ID：200903030530686533
梁部を備えた構造体の製造方法およびMEMSデバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-047419
公開番号（公開出願番号）：特開2007-222990
出願日： 2006年02月23日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】梁部を備えた構造体の形状の制約が少なく、製造コストの低コスト化が可能な梁部を備えた構造体の製造方法およびMEMSデバイスを提供する。【解決手段】半導体基板1の一表面側に除去部位として形成する多孔質部3の形状に応じてパターン設計した陽極2を半導体基板1の他表面側に形成する陽極形成工程と、陽極2と電解液中で半導体基板1の上記一表面側に配置される陰極との間に通電して半導体基板1の上記一表面側に多孔質部3を形成する陽極酸化工程と、陽極酸化工程の後で半導体基板1の上記一表面側に薄膜4を形成する薄膜形成工程と、薄膜形成工程の後で薄膜4において梁部7となる部位の周囲の不要部をエッチング除去して開孔部5を形成する開孔部形成工程と、開孔部5を通して多孔質部3を選択的にエッチング除去して空洞部6を形成することで半導体基板1から分離した梁部7を形成する分離工程とを有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の一表面側に形成した薄膜および前記半導体基板を加工して梁部を形成するようにした梁部を備えた構造体の製造方法であって、前記半導体基板の前記一表面側に除去部位として形成する多孔質部の形状に応じてパターン設計した陽極を前記半導体基板の他表面側に形成する陽極形成工程と、前記陽極と電解液中で前記半導体基板の前記一表面側に配置される陰極との間に通電して前記半導体基板の前記一表面側に前記多孔質部を形成する陽極酸化工程と、陽極酸化工程の後で前記半導体基板の前記一表面側に前記薄膜を形成する薄膜形成工程と、薄膜形成工程の後で前記薄膜において前記梁部となる部位の周囲の不要部をエッチング除去して開孔部を形成する開孔部形成工程と、開孔部形成工程にて形成した開孔部を通して前記多孔質部を選択的にエッチング除去して空洞部を形成することで前記半導体基板から分離した梁部を形成する分離工程とを有することを特徴とする梁部を備えた構造体の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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