特許

J-GLOBAL ID：201303066882961981

半導体基板の熱処理のための方法及び装置

発明者： グリフィス スチュワート ケイ ,  ニルソン ロバート エイチ ,  マットソン ブラッド エス ,  サバス スチーブン イー
出願人/特許権者： マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド ,  サンディア コーポレイション
代理人 (10件)： 中村 稔 ,  大塚 文昭 ,  熊倉 禎男 ,  宍戸 嘉一 ,  竹内 英人 ,  今城 俊夫 ,  小川 信夫 ,  村社 厚夫 ,  西島 孝喜 ,  箱田 篤
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-567891
特許番号：特許第4971541号
出願日： 1999年08月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体ウェーハの急速熱処理装置であって、 a)底部、側壁及び頂部を有する炉であって、その底部、側壁及び頂部は、加熱手段を備え、前記加熱手段は前記炉を少なくとも900°Cに加熱するように構成されており、一定で均一な温度に維持されると共に半導体ウェーハを受け入れるようになっている空洞部を形成する炉と、 b)前記ウェーハを前記空洞部に挿入すると共に該空洞部から周囲に直接引き出すためのウェーハの挿入及び引き出し手段と、 c)少なくとも0.2m/secの挿入及び引き出し速度を与えるように構成された、挿入及び引き出し速度を制御する手段と、 を備えていることを特徴とする装置。

IPC (4件)：

H01L 21/26 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/265 ( 200 6.01) ,  H01L 21/677 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/26 G ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/68 A

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-252088   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体ウェーハの熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-204602   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 特開昭64-071119
  

審査官引用 (4件)

• 半導体ウェーハの熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-204602   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-252088   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭64-071119
  
• 特開昭64-071119